[发明专利]一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置有效
申请号: | 202011157824.1 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN112164705B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 徐惠能;洪荣辉;朱卫平;张奎麟 | 申请(专利权)人: | 厦门强力巨彩光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/20;H01L33/58 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 吴圳添 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro led 显示 面板 显示装置 | ||
一种Micro‑LED显示面板和Micro‑LED显示装置。Micro‑LED显示面板包括:上下相对设置的上基板和下基板,上基板和下基板之间具有多个LED像素组;下基板上具有发光叠层;下基板上还具有下遮光层,分隔成下遮光单元;上基板下表面具有上遮光层,上遮光层具有与下遮光单元分别一一相对的上遮光单元,一个下遮光单元与对应的一个上遮光单元构成一个遮光组合;每个遮光组合中,上遮光单元的最低点在下遮光单元的最高点以下。所述显示面板能够解决Micro‑LED在像素间距减小下的光线串扰问题。
技术领域
本发明涉及LED领域,尤其涉及一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置。
背景技术
发光二极管(LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点,被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。
微型发光二极管(Micro-LED)是将传统的LED微缩后形成微米级间距的阵列以达到超高的分辨率,从而可用于显示领域。Micro-LED显示相对于传统的液晶显示(LCD)及有机发光显示(OLED),具备发光寿命长、亮度高、体积轻薄、功耗低、像素密度高等优势,成为以高真实度、互动与个性化显示为主要特点的第三代显示的代表。
目前Micro-LED的一个发展方向是,防止由于像素间的间距减少而引起的不同颜色光的光线串扰问题。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种Micro-LED显示面板和Micro-LED显示装置,以更好地解决Micro-LED像素间距减小下的光线串扰问题。
为解决上述问题,本发明提供一种Micro-LED显示面板,包括:上下相对设置的上基板和下基板,所述上基板和下基板之间具有多个LED像素组,每个所述LED像素组包括红色LED像素单元、绿色LED像素单元和蓝色LED像素单元;所述下基板上具有发光叠层,所述发光叠层包括属于所述红色LED像素单元的第一LED发光叠层,属于所述绿色LED像素单元的第二LED发光叠层,以及属于所述蓝色LED像素单元的第三LED发光叠层;所述下基板上还具有下遮光层,在纵向剖面中,所述第一LED发光叠层、第二LED发光叠层和第三LED发光叠层将所述下遮光层分隔成下遮光单元;所述上基板下表面具有上遮光层,在纵向剖面中,所述上遮光层具有与所述下遮光单元分别一一相对的上遮光单元,一个所述下遮光单元与对应的一个所述上遮光单元构成一个遮光组合;每个所述遮光组合中,所述上遮光单元的最低点在所述下遮光单元的最高点以下,且所述上遮光单元与所述下遮光单元未接触。
可选的,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一梯形,所述下遮光单元呈下底在下的第二梯形,所述第一梯形的上底与所述第二梯形的上底水平方向上错开,所述第一梯形的上底在所述第二梯形的上底下方。
可选的,所述第一梯形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二梯形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
可选的,在纵向剖面中,每个所述遮光组合中,所述上遮光单元呈下底在上的第一三角形,所述下遮光单元呈下底在下的第二三角形,所述第一三角形的顶角与所述第二三角形的顶角水平方向上错开,所述第一三角形的顶角在所述第二三角形的顶角下方。
可选的,所述第一三角形的下底与两腰分别形成第一较小底角和第一较大底角,所述第二三角形的下底与两腰分别形成第二较小底角和第二较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第一较大底角,所述第一较小底角和第二较小底角均小于所述第二较大底角。
可选的,所述第一较小底角和第二较小底角的大小相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的