[发明专利]防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法及沟槽栅的形成方法在审
| 申请号： | 202011158918.0 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112233974A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 唐斌;陈忠奎;宁润涛 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 510000 广东省广州市中新广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 湿法 刻蚀 侧面 侵蚀 方法 沟槽 形成 | ||
1.一种防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有至少两个沟槽，所述沟槽内形成有第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽的侧壁和底部，所述第一氧化层上形成有源电极，所述源电极上形成有第二氧化层；
执行第一SC1清洗液清洗工艺，以使所述第二氧化层表面获得粗糙表面；
形成图形化的光刻胶，以暴露出第一沟槽内的第二氧化层，并覆盖第二沟槽内的第二氧化层；
对所述第一沟槽内的第二氧化层进行湿法刻蚀工艺，以形成第一开口。
2.如权利要求1所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述第一SC1清洗液包括氨水、双氧水和水，所述氨水：双氧水：水的体积比为1:2:100～1:2:10。
3.如权利要求2所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述第一SC1清洗液的温度为20℃～50℃。
4.如权利要求2所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述第一SC1清洗液的工艺时间为0.5min-10min。
5.如权利要求1所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中的湿法刻蚀溶液为氢氟酸，或者为氟化铵与氢氟酸的混合液。
6.如权利要求1所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，在所述第一SC1清洗液清洗步骤之前还包括：
执行湿法清洗工艺，以去除衬底表面的杂质；
执行退火工艺，以增加所述第二氧化层的致密性。
7.如权利要求6所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺包括第二SC1清洗液清洗工艺和SC2清洗液清洗工艺。
8.如权利要求7所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述SC2清洗液包括氯化氢、双氧水和水。
9.如权利要求5所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为900至1200℃，退火工艺的时间为10秒至30秒。
10.一种沟槽栅的形成方法，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法，获得第一开口；以及，在所述第一开口内沉积多晶硅，形成沟槽栅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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