[发明专利]一种有机金导体浆料

说明书

本发明公开了一种有机金导体浆料，所述有机金导体浆料包括金化合物、其它金属化合物和有机载体，所述其它金属化合物包括铅化合物、铋化合物、铑化合物、硅化合物、硼化合物和钒化合物，以元素重量计，所述有机金导体浆中Rh/Au＝0.0010‑0.0050。本发明通过优选有机金导体浆料组成中Rh/Au的比例，能够有效改善烧结后金膜的外观，使金膜平整光滑，且避免金膜的方阻明显增大。

技术领域

本发明涉及电子浆料技术领域，具体涉及一种有机金导体浆料。

背景技术

金系导体浆料具有电导率高，性能稳定，易热压焊接，与基板结合强度大等特性，广泛应用于混合集成电路、微波混合集成电路、多芯片组件、热敏打印头等电子元器件的生产。其中，有机金导体浆料具有成本低、烧结温度低等特点，常用于热敏打印模组中作为导体电极。现有有机金导体浆料的组成包括金化合物、其它金属化合物以及有机载体。然而，有机金导体浆料在烧结时，金化合物逐渐分解为金单质并形成微小晶粒，再进一步烧结时晶粒逐渐长大，当两个晶粒的晶界接触后会发生团聚融合并形成大颗粒，使得烧结后金膜外观粗糙，光滑平整度较差。因而，需要对有机金导体浆料的配方进行改进，以改善烧结后金膜的外观，使金膜平整光滑。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足之处而提供一种有机金导体浆料，该浆料烧结后形成的金膜平整光滑，具有良好的外观。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：

一种有机金导体浆料，包括金化合物、其它金属化合物和有机载体，所述其它金属化合物包括铅化合物、铋化合物、铑化合物、硅化合物、硼化合物和钒化合物，以元素重量计，所述有机金导体浆中Rh/Au＝0.0010-0.0050。

浆料中各组分的作用具体如下：

金化合物是浆料中的Au元素来源，在浆料烧结时逐渐形成金膜。金化合物一般在300-400℃间逐渐分解，进一步烧结过程中(450-850℃)逐渐金属化并形成致密的金膜。

铑化合物是浆料中的Rh元素来源，一般在300-400度间逐渐分解，在进一步烧结过程中(400-850℃)在Au的晶界上形成Rh₂O₃，抑制Au晶粒过度长大，从而防止Au晶粒团聚，形成平整光滑的金膜。需要注意的是，当烧结温度高于900℃时，Rh₂O₃会逐渐分解成Rh单质，从而失去抑制Au晶粒长大的作用。发明人经过多次试验发现，浆料中Rh/Au0.0010时，烧结后金膜的外观改善效果不明显，而Rh/Au0.0050时，金膜的方阻会明显增大。因此，本发明通过优选铑化合物的添加量，控制浆料组成中Rh/Au＝0.0010-0.0050，有效改善烧结后金膜的外观，使金膜平整光滑，且避免金膜的方阻明显过大。

铅化合物、硼化合物、硅化合物是浆料中的Pb、B、Si元素来源，一般在300-400℃间逐渐分解，在进一步烧结过程中(400-850℃)形成PbO-B₂O₃-SiO₂系玻璃过渡层以结合玻璃釉和金层，实现良好的附着力。

钒化合物、铋化合物是浆料中的V、Bi元素来源，一般在300-400℃间逐渐分解，并在进一步烧结过程中(400-850℃)促进玻璃过渡层的形成，提高金膜的附着力和耐久性。