[发明专利]基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于薄膜晶体管的压力传感器，包括：

薄膜晶体管；

底电极，设置在薄膜晶体管背板凹槽上；

种子层，设置在底电极上；

氧化锌纳米线层，设置在种子层上；

支撑层，设置在氧化锌纳米线层上；以及

顶电极，设置在支撑层上。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述种子层采用的材料为ZnO，厚度为5至10nm。

3.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述氧化物纳米线层的厚度为100至200nm。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述底电极采用的材料包括Mo或Au；厚度为50至200nm；

所述支撑层采用的材料包括SU-8光刻胶；

所述顶电极采用的材料包括Ti/Au；所述顶电极的厚度为100至500nm。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，

所述的薄膜晶体管包括：

衬底；

金属栅极，包括第一金属栅极和第二金属栅极，设置在衬底上；

介质层，设置在金属栅极上；

有源层，设置在介质层上，且位于第二金属栅极上方；

电极层，设置在金属栅极上方；以及

钝化层，设置在电极层上。

6.根据权利要求5所述的压力传感器，其特征在于，

所述衬底采用的材料包括玻璃或者氧化硅，厚度为300至500μm；

所述金属栅极采用的材料包括Mo或者Au，厚度为20至40nm；

所述介质层采用的材料包括氧化硅或者氧化铝，厚度为200至300nm；

所述有源层采用的材料包括IGZO或有机半导体，厚度为20至30nm；

所述电极层采用的材料包括Mo或者Ti/Au等，厚度为50至100nm；

所述钝化层采用的材料包括氧化硅或氧化铝，厚度为200至300nm。

7.一种基于薄膜晶体管的压力传感器的制备方法，包括：

在薄膜晶体管的背板上制备底电极；

在底电极上制备种子层；

在种子层上制备纳米孔材料；

在纳米孔材料中制备氧化锌纳米线层；

在氧化锌纳米线层上制作支撑层；以及

在支撑层上制作顶电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

制备所述氧化锌纳米线层的温度为70至100℃；

所述纳米孔材料的孔径为5至10nm；

所述纳米孔材料为Al₂O₃纳米孔材料、TiO₂纳米孔材料、SnO₂纳米孔材料、SiO₂纳米孔材料中的任一种；

所述纳米孔材料的厚度为100至200nm。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

所述薄膜晶体管的制备方法包括：

在衬底上制备金属栅极；

在金属栅极上制备介质层；

在介质层上制备有源层；

在有源层上制备电极层；以及

在电极层上制备钝化层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，

所述衬底采用的材料包括玻璃或者氧化硅，厚度为300至500μm；

所述金属栅极采用的材料包括Mo或者Au，厚度为20至40nm；

所述介质层采用的材料包括氧化硅或者氧化铝，厚度为200至300nm；

所述有源层采用的材料包括IGZO或有机半导体，厚度为20至30nm；

所述电极层采用的材料包括Mo或者Ti/Au等，厚度为50至100nm；

所述钝化层采用的材料包括氧化硅或氧化铝，厚度为200至300nm。