[发明专利]基于氧化物纳米线的压力传感器结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011159657.4 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112271248A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;姜文峰;史学文;陆丛研;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/18;H01L41/27;G01L1/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化物 纳米 压力传感器 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化物纳米线的压力传感器结构，包括：
衬底；
底电极，设置在衬底上；
种子层，设置在底电极上；
氧化物纳米线层，设置在种子层上；
支撑层，设置在氧化物纳米线上；以及
顶电极，设置在支撑层上。
2.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于，
所述氧化物纳米线层采用的材料包括氧化锌纳米线；
所述氧化物纳米线层的厚度为100至200nm。
3.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于，
所述衬底采用的材料包括玻璃或者氧化硅；厚度为300至500μm；
所述底电极采用的材料包括Mo或Au，厚度为50至200nm。
4.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于，
所述支撑层采用的材料包括SU-8光刻胶；
所述顶电极采用的材料包括Ti/Au，所述顶电极的厚度为100至500nm。
5.一种氧化物纳米线压力传感器的制备方法，包括：
在衬底上制备底电极；
在底电极上制备种子层；
在种子层上制备纳米孔材料；
在纳米孔材料中制备氧化物纳米线层；
在氧化物纳米线层上制作支撑层；以及
在支撑层上制作顶电极。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
制备所述氧化物纳米线层的温度为70至100℃；
在制备纳米孔材料步骤中，所述纳米孔材料是通过转移法制备得到的；
所述种子层采用的材料为ZnO，厚度为5至10nm。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
制备所述底电极采用的方法包括磁控溅射法；
制备所述种子层采用的方法包括磁控溅射法；
制备所述支撑层采用的方法包括旋涂法；
制备所述顶电极采用的方法包括电子束蒸发法。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述氧化物纳米线层采用的材料包括氧化锌纳米线；
所述氧化物纳米线层的厚度为100至200nm。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述纳米孔材料的孔径为5至10nm；
所述纳米孔材料为Al2O3纳米孔材料、TiO2纳米孔材料、SnO2纳米孔材料、SiO2纳米孔材料中的任一种；
所述纳米孔材料的厚度为100至200nm。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
所述衬底采用的材料包括玻璃或者氧化硅；厚度为300至500μm；
所述底电极采用的材料包括Mo或Au，厚度为50至200nm；
所述支撑层采用的材料包括SU-8光刻胶；
所述顶电极采用的材料包括Ti/Au，所述顶电极的厚度为100至500nm。
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