[发明专利]基于热冲击连续合成粉体材料的装置及方法在审
申请号: | 202011160025.X | 申请日: | 2020-10-23 |
公开(公告)号: | CN112404449A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 熊宇杰;席大为;龙冉 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | B22F9/24 | 分类号: | B22F9/24;B22F1/00;C22C30/02;C04B35/01;C04B35/626;B01J23/89;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 冲击 连续 合成 材料 装置 方法 | ||
1.一种基于热冲击连续合成粉体材料的装置,包括:
腔体(101),所述腔体(101)的壁上设有进出端口(102)及气孔(103),内部设有接触电极(105);
导电基底(107),所述导电基底(107)与所述接触电极(105)为可移动的面接触连接,所述导电基底(107)穿过所述进出端口(102),其中,所述导电基底(107)用于搭载待热处理材料的前驱体,所述待热处理材料包括粉体材料及负载型粉体材料;
牵引组件(106),牵引组件(106)与所述导电基底(107)连接,以牵引所述导电基底(107)在所述腔体(101)内连续或间歇移动;
导线(104),所述导线(104)连接所述接触电极(105)与外部电源,所述导线(104)、所述接触电极(105)、所述外部电源及所述导电基底(107)构成闭合回路。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述接触电极(105)及所述牵引组件(106)上设置凹槽,所述导电基底(107)置于所述凹槽内。
3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述导电基底(107)为单层导电基底或双层导电基底或多层导电基底。
4.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其中,所述导电基底(107)的材料包括:
碳布,碳纸,碳纤维,压制碳毡,碳纤维膜,钨箔中的至少一种;
或所述碳布,碳纸,碳纤维,压制碳毡,碳纤维膜,钨箔中的至少一种与耐高温绝缘基底的复合;
所述待热处理材料包括炭黑,活性炭,氧化钛,氧化钨,氧化铝,氧化硅,氧化铈,氧化亚铜,沸石,氮化碳,氮化钽,氮化钛,氮化镓,磷化钴,磷化铁镍中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的装置,其中,所述导电基底(107)宽度范围为5-100mm,厚度范围0.1-4mm,电导率范围为1-1000mΩ/cm。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述接触电极(105)包括电极片或电极棒或电刷或电极夹或电极板或金属滑轮或石墨滑轮,所述导电基底(107)移动过程中,所述接触电极(105)与所述导电基底(107)连续直接接触或通过间歇开合的方式间歇地夹住所述导电基底(107)。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述外部电源为直流电源,额定电压范围为1-200V,额定电流范围为1-50A,直流电脉冲频率为0.1-20Hz。
8.一种基于权利要求1-7任一项所述基于热冲击合成纳米材料的装置的合成纳米材料的方法,包括:
将所述待热处理材料的前驱体搭载在所述导电基底(107)上;
牵引所述导电基底(107)沿所述接触电极(105)移动,使所述待热处理材料的前驱体连续或间歇的通过在预设气氛下的加热段。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述加热段采用连续加热模式或间歇加热模式;
所述预设气氛包括氮气或氩气或氢气或二氧化碳或所述待热处理材料的前驱体中添加的用于热反应的添加剂热分解或气化时所产生的局域气氛,所述添加剂包括单质硼,单质磷,单质硫,尿素,三聚氰胺,或钒,铬,锰,铁,钴,镍,铜,锌,钼,钨,银,金,钌,铑,钯,铱,铂,镓,铟的金属,氯化盐,硝酸盐,乙酸盐或乙酰丙酮盐中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述导电基底(107)的牵引速度为0.1-10cm/s,单次通电加热时间为0.1-10s。
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