[发明专利]复合烧结体及复合烧结体的制造方法

权利要求书

1.一种复合烧结体，其特征在于，具备：

基材，该基材以陶瓷为主材料；以及

电极，该电极配置于所述基材的内部或表面，

所述电极包含：碳化钨及氮化钛。

2.根据权利要求1所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极与所述基材的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围内为0.3ppm/℃以下。

3.根据权利要求1或2所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极的室温下的电阻率为3.0×10^－5Ω·cm以下。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极中包含的导电体中的所述氮化钛的含有率为5体积％以上且60体积％以下。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极中，利用X射线衍射法得到的所述碳化钨与所述氮化钛的主峰的强度比为0.80以上且小于1.0。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极中包含的导电体中的所述碳化钨及所述氮化钛的合计含有率为100体积％。

7.根据权利要求6所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极中的所述碳化钨及所述氮化钛的合计含有率为100体积％。

8.根据权利要求1至7中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述电极中的所述氮化钛的烧结粒径为0.7μm以上且1.0μm以下。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述基材的主材料为氮化铝。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的复合烧结体，其特征在于，

所述基材为圆板状，

在所述基材的主面载放半导体基板。

11.一种复合烧结体的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

a)准备出第一部件及第二部件的工序，所述第一部件及第二部件是以陶瓷为主材料的成型体、预烧体或烧结体；

b)在所述第一部件上配置包含碳化钨及氮化钛的电极或所述电极的前驱体后，层叠所述第二部件而形成层叠体的工序；

c)对所述层叠体进行热压烧成的工序。

12.根据权利要求11所述的复合烧结体的制造方法，其特征在于，

所述c)工序结束后所述电极与所述第一部件及所述第二部件的热膨胀系数之差的绝对值在40℃以上且1000℃以下的范围内为0.3ppm/℃以下。

13.根据权利要求11或12所述的复合烧结体的制造方法，其特征在于，

所述c)工序中的烧成温度为1700℃以上且1780℃以下。