[发明专利]一种OLED显示面板在审
申请号: | 202011160490.3 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112289807A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 吴星 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 | ||
本申请公开一种OLED显示面板,包括阵列基板,具有有源层;基板层,所述阵列基板设于所述基板层上,所述基板层中具有导电层,所述导电层的位置至少对应所述有源层。导电层与公共电极或者接地电极相接,能够将极化产生的电荷迅速导出,消除极化影响,从而达到消除显示面板的图像残留现象的效果,避免显示面板上的图像残留现象发生。
技术领域
本申请涉及显示面板领域,尤其地涉及一种OLED显示面板。
背景技术
随着技术的进步,柔性显示技术成为显示技术领域中的一个重要的分支,柔性显示面板具有轻质、便携以及画面卓越等优点,得到了越来越广泛的应用。
在现有技术中,柔性显示面板的柔性基板容易产生极化现象,极化电荷会造成柔性显示面板的图像残留,影响柔性显示面板的显示效果。
以有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)为例,请参阅图1,图1为现有技术中提供的OLED显示面板的结构示意图,包括基板层110和阵列基板120,基板层110包括第一PI层11、第一缓冲层21、第二PI层12、第二缓冲层22、绝缘层30,阵列基板120包括有源层40、第一栅极层51、第一栅极绝缘层61、第二栅极层52、第二栅极绝缘层62、层间介质层70、源漏极层80和平坦层90。
在OLED显示面板工作时,有可能会在某一画面停留较长的时间,在这种情况下,有源层40下方容易产生极化的电荷,极化的电荷会传导到OLED显示面板的第一PI层11和第二PI层12。此后,当切换OLED显示面板的画面时,第一PI层11和第二PI层12上的极化电荷会导致在OLED显示面板上出现图像残留现象,影响OLED显示面板的显示效果和用户体验。
因此,确有必要来开发一种新型的OLED显示面板,以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种OLED显示面板,其能够解决现有技术中柔性显示面板的柔性基板容易产生极化现象,极化电荷会造成柔性显示面板的图像残留的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种OLED显示面板,包括阵列基板,具有有源层;基板层,所述阵列基板设于所述基板层上,所述基板层中具有导电层,所述导电层的位置至少对应所述有源层。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述基板层包括第一PI层;第一缓冲层,设于所述第一PI层上;第二PI层,设于所述第一缓冲层上;第二缓冲层,设于所述第二PI层上;绝缘层,设于所述第二缓冲层上。
进一步的,在其他实施方式中,其中绝缘层采用二氧化硅或氮化硅,既能够起到绝缘作用,又能够隔绝水氧起到保护所述阵列基板的作用。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述导电层设于所述第一缓冲层和所述第二PI层之间。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述导电层设于所述第二PI层和所述第二缓冲层之间。导电层位于第二PI层的上方,能够阻挡有源层下方极化产生的电荷传导到下方的第二PI层。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述导电层设于所述第二缓冲层和所述绝缘层之间。在其他实施方式中,只要能保证所述导电层设于所述第一PI层和所述有源层之间即可。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述导电层的材料采用非晶硅、钼、铝钛合金、铜或纳米银中的至少一种,所述导电层的厚度范围为1nm-1000nm。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述导电层的表面电阻率小于或等于1011Ω。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述有源层在垂直于所述显示面板方向上的正投影完全落入所述导电层在垂直于所述显示面板方向的正投影中。因为所述有源层是TFT沟道,TFT持续工作就会在所述有源层下层产生极化电荷,所以这样设置能阻挡产生的极化电荷往下方传导。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的