[发明专利]发光装置、投影仪以及显示器

说明书

提供发光装置、投影仪以及显示器，能够降低由电极引起的光的损失并且能够提高光的取出效率。发光装置具有：基体；以及层叠体，其设置于基体，具有多个柱状部，柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有第3半导体层，该第3半导体层连接在所述第2半导体层的与所述基体相反的一侧并且导电类型与所述第2半导体层相同，所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间，在所述第3半导体层设置有凹部，在所述第3半导体层的与所述基体侧相反的一侧的面设置有所述凹部的开口，所述凹部的底的直径比所述凹部的开口的直径小。

技术领域

本发明涉及发光装置、投影仪以及显示器。

背景技术

半导体激光器被期待作为高亮度的下一代光源。特别是，可期待具有被称为纳米柱(nanocolumn)、纳米线(nanowire)、纳米棒(nanorod)、纳米支柱(nanopillar)等纳米构造的半导体激光器能够实现通过光子晶体效果以狭放射角获得高输出的发光的发光装置。

例如，在专利文献1中公开了一种发光二极管，其通过在硅基板上形成n型GaN纳米柱层和发光层并且一边扩大纳米柱直径一边使p型GaN接触层外延生长然后形成半透明的p型电极而成，其中，在n型GaN纳米柱层上设置由多重量子阱结构或双异质结构实现的吸收/再发光层，提高了光取出效率。

专利文献1：日本特开2007-49062号公报

在具有如上所述的纳米柱的发光装置中，需要根据发光层的材料或基板的材料来考虑晶格匹配等条件，材料的选择被大幅限制。因此，难以取得活性层与覆盖层的折射率之差，例如在活性层中产生的光向电极侧泄漏而在电极中被吸收而成为损失。另外，在这样的发光装置中，如专利文献1所公开的那样，要求提高光取出效率。

发明内容

本发明的发光装置的一个方式具有：基体；以及层叠体，其设置于所述基体，具有多个柱状部，所述柱状部具有：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，所述层叠体具有第3半导体层，该第3半导体层连接在所述第2半导体层的与所述基体相反的一侧并且导电类型与所述第2半导体层相同，所述第2半导体层设置在所述发光层与所述第3半导体层之间，在所述第3半导体层设置有凹部，在所述第3半导体层的与所述基体侧相反的一侧的面上设置有所述凹部的开口，所述凹部的底的直径比所述凹部的开口的直径小。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，在所述层叠体的与所述基体侧相反的一侧设置有电极。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，从所述层叠体的层叠方向观察时，在所述电极的与所述凹部重叠的位置设置有贯通所述电极的贯通孔。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，设置有多个所述凹部，多个所述柱状部在第1方向上以第1间距排列，多个所述凹部在第2方向上以第2间距排列，所述第1方向是所述柱状部以最短的间距排列的方向，所述第2方向是所述凹部以最短的间距排列的方向，所述第2间距小于所述第1间距。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，所述凹部的开口的直径比所述柱状部的直径小。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，所述凹部的形状为圆锥或棱锥。

在所述发光装置的一个方式中，也可以是，所述凹部的直径随着从所述凹部的开口朝向所述凹部的底而变小。

本发明的投影仪的一个方式具有所述发光装置。

本发明的显示器的一个方式具有所述发光装置。

附图说明

图1是示意性地示出第1实施方式的发光装置的剖视图。

图2是示意性地示出第1实施方式的发光装置的俯视图。