[发明专利]显示面板及包括该显示面板的显示装置在审
申请号: | 202011161905.9 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112750869A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 蔡宗沅;高武恂;文晟薰;孙世完;全容济;郑震九 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张晓;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 包括 显示装置 | ||
1.一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,包括组件区域以及围绕所述组件区域的显示区域,所述组件区域包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域;
多个第一显示元件,在所述显示区域处;
多个像素组,在所述第一区域处以岛状彼此间隔开,所述多个像素组中的每个包括多个第二显示元件;
多个透射区域,在所述第一区域处且与所述多个像素组相邻;以及
多条第一布线,在第一方向上延伸并且电连接到所述多个第一显示元件,所述多条第一布线在所述第二区域处且在所述第一区域周围绕行。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,每单位面积的所述组件区域的分辨率是每单位面积的所述显示区域的分辨率的1/2或更小。
3.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括:多条第二布线,在所述第一方向上延伸并且电连接到所述多个第二显示元件,所述多条第二布线与所述多个透射区域的至少一部分叠置。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,与所述多个透射区域的所述至少一部分叠置的所述多条第二布线偏置在所述多个透射区域的一侧上。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述多条第一布线和所述多条第二布线被构造为将数据信号传送到所述多个第一显示元件和所述多个第二显示元件。
6.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括:多条第三布线,在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸,并且沿着所述第一区域的边缘绕行。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述多条第三布线被构造为将扫描信号传送到所述多个第一显示元件。
8.根据权利要求1所述的显示面板,所述显示面板还包括:
第一导电层,在所述基底上;
第二导电层,在所述第一导电层上;
第一绝缘层,在所述第一导电层与所述第二导电层之间;以及
多条第二布线,在所述第一方向上延伸并且电连接到所述多个第二显示元件,所述多条第二布线与所述多个透射区域的至少一部分叠置,
其中,所述多条第二布线包括与所述第一导电层的材料相同的材料。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述多条第一布线中的每条包括在所述显示区域处的延伸部分和在所述第二区域处的绕行部分,并且
所述延伸部分通过限定在所述第一绝缘层中的接触孔连接到所述绕行部分。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述延伸部分包括与所述第一导电层的材料相同的材料,并且
所述绕行部分包括与所述第二导电层的材料相同的材料。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述多个第二显示元件中的每个电连接到包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路,
所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层叠置的栅电极以及连接到所述半导体层的电极层,并且
所述存储电容器包括底部电极以及与所述底部电极叠置的顶部电极,所述薄膜晶体管的所述栅电极用作所述存储电容器的所述底部电极。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述第一导电层包括与所述电极层的材料相同的材料。
13.根据权利要求11所述的显示面板,其中,所述多个第二显示元件中的每个包括:
像素电极;
对电极,在所述像素电极上;以及
中间层,在所述像素电极与所述对电极之间,
其中,所述像素电路还包括接触金属层,所述接触金属层在所述接触金属层的底部处连接到所述电极层,并且在所述接触金属层的顶部处连接到所述像素电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011161905.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:全固体电池
- 下一篇:运转状况显示系统以及画面信息生成装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的