[发明专利]一种钙钛矿显示面板及其制备方法有效
申请号: | 202011162243.7 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112331704B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 唐江;李京徽;杜培培;王亮;罗家俊 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00;H01L51/54 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿显示面板,自上而下包括半透明电极层、第一功能层、发光显示层、第二功能层、反射层以及驱动电路层,其特征在于,所述发光显示层同时使用有绿光像素化单元材料、红光像素化单元材料和蓝光像素化单元材料,能够在电场驱动下实现RGB显示,其中,所述绿光像素化单元材料为热蒸镀沉积的绿光卤素钙钛矿,所述红光像素化单元材料和所述蓝光像素化单元材料分别为热蒸镀沉积的红光有机发光材料和蓝光有机发光材料;
所述第一功能层和所述第二功能层中的一者为电子传输层,另一者为空穴传输层;所述第一功能层和所述第二功能层用于在电场作用下将电子或空穴注入到所述发光显示层,并调节电子和空穴的注入平衡;
所述半透明电极层用于连接外部电源及用于出光;
所述反射层用于全反射所述发光显示层产生的光子;
所述驱动电路层用于连接外部电源并提供驱动电源;
所述绿光像素化单元材料为金属溴化物A钝化CsnPblBrk对应形成的材料,其中,CsnPblBrk为绿光卤素钙钛矿材料的化学式,n、l、k均为大于0的实数,l≤n≤2l,k=n+2l;并且,所述金属溴化物A沉积在由所述绿光卤素钙钛矿材料构成的绿光发光层上形成钝化层,记所述钝化层的厚度为m,所述绿光发光层的厚度为j,则,0<m<0.2j;
所述绿光像素化单元材料的制备是先通过CsBr和PbBr2二元共蒸的方式得到绿光材料CsnPblBrk,再在CsnPblBrk的表面蒸镀沉积作为第三元材料的金属溴化物A,由此钝化CsnPblBrk表面的悬挂键,得到绿光像素化单元材料。
2.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述金属溴化物A选自CdBr2、RbBr、KBr、LiBr、CuBr和NaBr。
3.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述绿光像素化单元材料的光谱半峰宽15~20nm。
4.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述红光有机发光材料选自红荧烯、PTPP、DCJTB以及Tz-Gl;
所述蓝光有机发光材料选自蒽、TMTPEPA、BDPAS、Balq、DPVBi以及v-DABNA。
5.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述发光显示层是通过先热蒸镀沉积绿光卤素钙钛矿,再热蒸镀沉积红光有机发光材料和蓝光有机发光材料,从而制备形成的。
6.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述电子传输层通过磁控溅射沉积形成,是采用磁控溅射沉积的ZnO、ZnMgO、TiO2、SnO中的一种或多种无机材料;所述空穴传输层通过磁控溅射沉积形成,是采用磁控溅射沉积的NiOx、CuGaO2、WO3和Zn1-ySiyO中的一种或多种无机材料,所述NiOx中x为满足1≤x≤1.5的实数,所述Zn1-ySiyO中y为满足0<y<1的实数。
7.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述透明电极层为可见光区域透光的导电膜层,用于出光显示;
所述反射层为反光导电膜层,其导电功能是通过在上表面和下表面设置上下两层透明导电层实现的。
8.如所述权利要求1所述钙钛矿显示面板,其特征在于,所述驱动电路层为光刻的CMOS芯片或多晶硅TFT芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的