[发明专利]电化学装置及包括其的电子装置

权利要求书

1.一种电化学装置，其包括正极、负极、隔离膜和电解液，其中所述负极包括负极活性物质层，所述负极活性物质层包含硅材料，所述负极活性物质层的单位反应面积为Cm²/cm²，其中所述电解液包括氟代碳酸酯和环醚，基于所述电解液的总重量，所述氟代碳酸酯的重量百分比为A％，所述环醚的重量百分比为B％，A％为2％至25％，B％为0.05％至3％，

其中，A、B及C满足15≤(A+B)/C≤5600，

其中所述负极活性物质层的单位反应面积为所述负极活性物质层的单位面积重量×所述负极活性物质层的比表面积。

2.根据权利要求1所述的电化学装置，其中B/A为0.005至0.5。

3.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述环醚包括式I所示的化合物：

其中R₁和R₂各自独立地选自经取代或未经取代的C₁至C₁₀的亚烷基，其中经取代时，取代基选自卤素原子或C₁至C₅的烷基中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的电化学装置，其中所述环醚包括：

中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述氟代碳酸酯包括氟代碳酸乙烯酯或双氟代碳酸乙烯酯中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述负极活性物质层中的1g硅元素对应的所述环醚含量为0.003g至0.3g。

7.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述硅材料包括硅复合物基体和保护层，所述保护层设置于所述硅复合物基体表面的至少一部分。

8.根据权利要求7所述的电化学装置，其中所述保护层包括碳或Me_xO_y中的至少一种，其中Me包括Al、Si、Ti、Mn、V、Cr、Co或Zr中的至少一种，其中x为1至3，y为1至3。

9.根据权利要求7所述的电化学装置，其中所述硅复合物基体包括氧化硅或硅中的至少一种。

10.根据权利要求7所述的电化学装置，其中所述硅复合物基体包括SiO_z，其中0.5z1.5。

11.根据权利要求7所述的电化学装置，其中所述保护层的厚度为1nm至900nm。

12.根据权利要求1所述的电化学装置，其中所述负极活性物质层包括碳纳米管，所述碳纳米管的管径为1nm至10nm，所述碳纳米管的管长为1μm至50μm。

13.一种电子装置，其包括根据权利要求1至12中任意一项权利要求所述的电化学装置。