[发明专利]包括具有多种金属材料的字线的设备和系统以及相关方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

一材料中的字线，所述字线包括第一金属部分、与所述第一金属部分竖直相邻的第二金属部分，以及与所述第二金属部分竖直相邻的第三金属部分；和

介电材料，其处于所述字线和所述材料之间。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一金属部分和所述第三金属部分中的每一个包括氮化钛且所述第二金属部分包括钨。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一金属部分包括氮化钛和钨，所述第二金属部分包括钨，且所述第三金属部分包括氮化钛。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二金属部分直接接触所述介电材料。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的设备，其中所述第一金属部分包括大体均匀的化学组成。

6.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的设备，其中所述第一金属部分包括不均匀的化学组成。

7.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的设备，其中所述第二金属部分直接接触所述第一金属部分且所述第三金属部分直接接触所述第二金属部分。

8.一种设备，其包括：

存储器阵列，其包括字线、位线和存储器单元，每一存储器单元耦合到所述字线中的一个相关联字线和所述位线中的一个相关联位线，所述字线中的每一个位于一材料中并且包括：

第一氮化钛部分、金属部分，以及彼此上下竖直堆叠的第二氮化钛部分；和

介电材料，其与所述字线和所述材料直接接触。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述金属部分包括钨、钌、钼或其组合。

10.根据权利要求8所述的设备，其中所述金属部分直接接触所述第一氮化钛部分且所述第二氮化钛部分直接接触所述金属部分。

11.根据权利要求8所述的设备，其中在所述字线和所述介电材料之间无氮化钛材料。

12.根据权利要求8-11中任一权利要求所述的设备，其中所述金属部分的金属展现低于所述第一氮化钛部分和所述第二氮化钛部分的电阻率的电阻率。

13.一种形成设备的方法，其包括：

在一材料的开口中形成与所述开口中的介电材料相邻的第一金属部分；

形成与所述第一金属部分竖直相邻的第二金属部分；

形成与所述第二金属部分竖直相邻的第三金属部分，所述第一金属部分、所述第二金属部分和所述第三金属部分包括字线；和

形成与所述第三金属部分相邻的多晶硅。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成与所述第一金属部分竖直相邻的第二金属部分包括：

将金属氯化物前体和氢气依序引入到所述开口中；和

使所述金属氯化物前体与所述氢气反应以形成与所述第一金属部分竖直相邻的所述第二金属部分。

15.根据权利要求14所述的方法，其中将金属氯化物前体和氢气依序引入到所述开口中包括将包括WCl₂、WCl₄、WCl₅、WCl₆或其组合的氯化钨前体和氢气依序引入到所述开口中。

16.根据权利要求15所述的方法，其中将氯化钨前体和氢气依序引入到所述开口中包括：

将相对低量的所述氯化钨前体和相对高量的所述氢气依序引入到所述开口中；

使所述氯化钨前体和所述氢气反应以形成与所述第一金属部分竖直相邻的初始钨部分；和

相对于所述氢气的所述量增加所述氯化钨前体的所述量以形成与所述第一金属部分竖直相邻的钨部分。