[发明专利]一种运算跨导放大器

权利要求书

1.一种运算跨导放大器，其特征在于，包括：主放大器、最大电流选择电路、电流比较电路和摆率增强器件；

所述最大电流选择电路包括：MOS管(M9)、MOS管(M10)、MOS管(M13)、MOS管(M14)、MOS管(M15)、MOS管(M16)和MOS管(M17)，且所述MOS管(M13)、所述MOS管(M14)、所述MOS管(M15)、所述MOS管(M16)和MOS管(M17)的尺寸均相同；

所述电流比较电路包括：MOS管(M11)、MOS管(M12)和MOS管(M18)；

所述摆率增强器件为：MOS管(M19)；

所述MOS管(M9)和所述MOS管(M10)的栅极均与所述主放大器的输入级的有源负载栅极相连，用于采集所述主放大器的输入差分支路电流，源极均与电压源(V_DD)相连；

所述MOS管(M9)的漏极分别与所述MOS管(M13)和所述MOS管(M16)的漏极相连，所述MOS管(M13)的栅极分别与其漏极和所述MOS管(M14)的栅极相连，所述MOS管(M14)和所述MOS管(M15)的漏极均与所述MOS管(M11)的漏极相连，所述MOS管(M15)的栅极与所述MOS管(M16)的栅极相连，所述MOS管(M16)的栅极与所述MOS管(M17)的栅极相连，所述MOS管(M17)的栅极与其漏极相连，所述MOS管(M17)的漏极与所述MOS管(M10)的漏极相连；

所述MOS管(M13)、所述MOS管(M14)、所述MOS管(M15)、所述MOS管(M16)和所述MOS管(M17)的源极均接地；

所述MOS管(M11)和所述MOS管(M12)的源极均与所述电压源(V_DD)相连，所述MOS管(M11)的栅极与其漏极和所述MOS管(M12)的栅极相连，所述MOS管(M12)的漏极与所述MOS管(M18)的漏极相连，所述MOS管(M18)的源极接地，所述MOS管(M18)的栅极接偏置电压(V_b)；

所述MOS管(M19)的栅极与所述MOS管(M18)的漏极相连，漏极与所述主放大器的输入差分对管的共源端相连，源极接地。

2.根据权利要求1所述的运算跨导放大器，其特征在于，所述主放大器为电流镜放大器。

3.根据权利要求2所述的运算跨导放大器，其特征在于，所述电流镜放大器包括：MOS管(M1)、MOS管(M2)、MOS管(M3)、MOS管(M4)、MOS管(M5)、MOS管(M6)、MOS管(M7)、MOS管(M8)和电流源(I_b2)；

所述MOS管(M3)、所述MOS管(M4)、所述MOS管(M5)和所述MOS管(M6)的源极均与所述电压源(V_DD)相连；

所述MOS管(M5)的栅极与所述MOS管(M3)的栅极相连，漏极与所述MOS管(M7)的漏极相连，所述MOS管(M7)的漏极与其栅极相连，所述MOS管(M3)的漏极分别与其栅极和所述MOS管(M1)的漏极相连；

所述MOS管(M6)的栅极与所述MOS管(M4)的栅极相连，漏极与所述MOS管(M8)的漏极相连，所述MOS管(M8)的栅极与所述MOS管(M7)的栅极相连，所述MOS管(M4)的漏极分别与其栅极和所述MOS管(M2)的漏极相连；

所述MOS管(M1)和所述MOS管(M2)的栅极均与输入信号端相连，所述MOS管(M1)和所述MOS管(M2)的源极均与所述电流源(I_b2)的第一端相连，所述电流源(I_b2)的第二端接地，所述MOS管(M7)和所述MOS管(M8)的源极均接地。

4.根据权利要求3所述的运算跨导放大器，其特征在于，所述MOS管(M3)、所述MOS管(M4)、所述MOS管(M9)、所述MOS管(M10)、所述MOS管(M11)和所述MOS管(M12)的尺寸均相同。

5.根据权利要求4所述的运算跨导放大器，其特征在于，所述MOS管(M1)和所述MOS管(M2)均为NMOS管。