[发明专利]一种抛光垫及其制备方法、应用有效

申请号：	202011163365.8	申请日：	2020-10-27
公开（公告）号：	CN112338820B	公开（公告）日：	2021-10-29
发明（设计）人：	王腾;罗乙杰;王磊;刘敏;杨浩	申请（专利权）人：	湖北鼎汇微电子材料有限公司;湖北鼎龙控股股份有限公司
主分类号：	B24D3/28	分类号：	B24D3/28;B24D11/00;B24D11/02;B24D11/04;B24D18/00
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	430057 湖北省***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种抛光及其制备方法应用
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【权利要求书】：

1.一种抛光垫，具有缓冲层及抛光层，其特征在于：所述抛光层底层贴合不同组合片组成的缓冲层，所述缓冲层具有组合片形成的中心缓冲区、环绕所述中心缓冲区依次设置的一个或一个以上的中间缓冲区以及环绕所述中间缓冲区设置的外缘缓冲区，且所述中心缓冲区为圆形，所述中间缓冲区为环形，所述外缘缓冲区为环形，所述缓冲层沿所述中心缓冲区至所述外缘缓冲区的不同组合片的压缩比和回复率不同；不同缓冲区之间密切贴合或环状缝隙的宽度不超过1mm。

2.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的压缩比为3％-11％，相邻缓冲区的压缩比变化范围为0.06％-0.7％。

3.根据权利要求2所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的压缩比为4％-9％。

4.根据权利要求1所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的回复率为60％-98％，相邻缓冲区的回复率变化范围为1％-5％。

5.根据权利要求4所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的回复率为70％-98％。

6.根据权利要求1-5任一权利要求所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的邵氏A硬度为30-100A。

7.根据权利要求6所述的抛光垫，其特征在于，各缓冲区的邵氏A硬度为40-90A。

8.根据权利要求1-5任一权利要求所述的抛光垫，其特征在于，所述中心缓冲区的邵氏A硬度为50-90A，所述外缘缓冲区的邵氏A硬度为40-70A；相邻两个缓冲区的邵氏A硬度梯度降低幅度为0-15A。

9.根据权利要求8所述的抛光垫，其特征在于，相邻两个缓冲区的邵氏A硬度梯度降低幅度为3-10A。

10.根据权利要求1-5任一项所述的抛光垫，其特征在于，所述中间缓冲区的数量为1-13个。

11.根据权利要求10所述的抛光垫，其特征在于，所述中间缓冲区的数量为3-8个。

12.根据权利要求11所述的抛光垫，其特征在于，所述中间缓冲区的数量为4-6个。

13.根据权利要求1-5任一项所述的抛光垫，其特征在于，所述中心缓冲区的直径为2-15cm；和/或，除所述中心缓冲区之外的各中间缓冲区和外缘缓冲区的宽度为2-15cm。