[发明专利]一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法

权利要求书

1.一种ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：该方法按以下步骤进行：

步骤一、向纯Cu粉中加入ZrH₂粉末作为分散剂，充分混合后均匀平铺于硅片上；

步骤一所述平铺厚度为44-75μm；

步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为0.5％～3％；

步骤二、使用PECVD法在步骤一硅片上的铜粉表面生长石墨烯，得到VFG-Cu；

步骤三、按质量分数称取VFG-Cu 80％～92％和余量的ZrH₂并混合均匀，得到混合粉末；

步骤四、对步骤三中得到的混合粉末进行压片处理，得到钎料箔片；

步骤五、将待钎焊的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金进行预清洗处理，得到预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金；

步骤六、将步骤四得到的钎料箔片置于步骤五得到的预清洗处理后的ZrC-SiC陶瓷和TC4钛合金之间并进行组装，进行钎焊，然后随炉冷却，即完成。

2.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤一所述Cu粉中分散剂的质量分数为1％～2％。

3.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤二所述PECVD法在铜粉表面生长石墨烯的工艺为：

在等离子体增强化学气相沉积设备中进行，抽真空至1Pa～10Pa以下，按照体积比通入80％Ar+20％H₂的混合气体，控制混合气体流量为100sccm，调节并控制混合气体压强为200Pa，开始加热至700℃～750℃，到温后通入CH₄和Ar，关闭混合气，调节CH₄和Ar压强比为20：80，控制CH₄和Ar总气流量为100sccm，并将CH₄和Ar的气体总压强控制在500Pa～800Pa，设定射频功率为180W～220W，反应沉积50min～70min，关闭射频和电源，停止CH₄通入，待温度降至450℃下停止通入Ar，随炉冷却至室温，得到VFG-Cu。

4.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为80％～92％，ZrH₂为余量。

5.根据权利要求4所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤三所述混合粉末中VFG-Cu的质量分数为85％～90％，ZrH₂为余量。

6.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤四所述压片工艺为：在压力为2MPa～10Mpa下保持2min～3min，得到厚度50μm～500μm的钎料箔片。

7.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤五所述预清洗处理工艺为：首先切割成型，再经砂盘打磨至表面光滑，然后放入无水乙醇溶液中超声清洗5min～20min。

8.根据权利要求1所述的ZrC-SiC陶瓷与TC4钛合金钎焊方法，其特征在于：步骤六所述钎焊工艺为：将钎焊炉中抽真空至5×10^-3Pa，首先以1℃/min～10℃/min的速率升温到960℃～990℃并保温10min～15min，然后以1℃/min～5℃/min的速率降温冷却到室温。