[发明专利]离子植入机毒性气体输送系统及其输送方法

权利要求书

1.一种离子植入系统，其特征在于，包括：

一离子植入机，位于一外壳中，该离子植入机包括一离子源单元；

一掺杂剂源气体供应系统，包括：

一第一掺杂剂源气体储存缸及一第二掺杂剂源气体储存缸，位于该外壳之外的一气体机壳中，且配置为向该离子源单元供应一掺杂源气体；以及

一第一掺杂剂源气体供应管及一第二掺杂剂源气体供应管，分别耦接于该第一掺杂剂源气体储存缸及该第二掺杂剂源气体储存缸，且该第一掺杂剂源气体供应管及该第二掺杂剂源气体供应管分别包含一内管及包围该内管的一外管；以及

一监控系统，耦接于该第一掺杂剂源气体供应管的该外管及该第二掺杂剂源气体供应管的该外管，且配置为监控该第一掺杂剂源气体供应管及该第二掺杂剂源气体供应管的一渗漏。

2.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，其中该第一掺杂剂源气体供应管的该外管及该第二掺杂剂源气体供应管的该外管各具有一出口端，所述出口端配置为将相应的掺杂剂源气体管耦接至该监控系统。

3.根据权利要求1所述的离子植入系统，其特征在于，其中该监控系统包括：

一第一压力感测器，耦接于该第一掺杂剂源气体供应管；

一第二压力感测器，耦接于该第二掺杂剂源气体供应管；以及

一气体感测器及一真空泵浦，耦接于该第一压力感测器及该第二压力感测器。

4.根据权利要求3所述的离子植入系统，其特征在于，其中该真空泵浦通过一排气分歧管耦接于该第一掺杂剂源气体储存缸及该第二掺杂剂源气体储存缸。

5.一种离子植入系统，其特征在于，包括：

一离子植入机，位于一外壳中，该离子植入机包括一离子源单元；

一掺杂剂源气体供应系统，包括：

多个掺杂剂源气体储存缸，位于与该外壳分离的一气体机壳中，且所述多个掺杂剂源气体储存缸包括：

所述多个掺杂剂源气体储存缸的一第一套组，用于供应一第一掺杂剂源气体至该离子源单元；以及

所述多个掺杂剂源气体储存缸的一第二套组，用于供应一第二掺杂剂源气体至该离子源单元；以及

多个掺杂剂源气体供应管，配置为将所述多个掺杂剂源气体储存缸耦接于该离子源单元，且所述多个掺杂剂源气体供应管包括：

所述多个掺杂剂源气体供应管的一第一套组，耦接于所述多个掺杂剂源气体储存缸的该第一套组；以及

所述多个掺杂剂源气体供应管的一第二套组，其耦接于所述多个掺杂剂源气体储存缸的该第二套组；

其中，每个所述掺杂剂源气体供应管包括一内管，配置为流动一相应的掺杂剂源气体，以及包围该内管的一外管；以及

一监控系统，包括多个压力感测器及一气体感测器，耦接于每个所述掺杂剂源气体供应管的该外管，并配置为监控每个所述掺杂剂源气体供应管的一渗漏。

6.一种离子植入机的气体输送方法，其特征在于，包括：

通过一第一掺杂剂源气体供应管的一内管，将一掺杂剂源气体由一第一掺杂剂源气体储存缸供应至一离子植入机的一离子源单元，其中该离子植入机设置于一外壳中，该第一掺杂剂源气体储存缸设置于该外壳之外的一气体机壳中；以及

通过原位监测该第一掺杂剂源气体供应管的一外管中的该掺杂剂源气体的一压力变化及存在，检测该掺杂剂源气体的渗漏。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括停止由该第一掺杂剂源气体储存缸供应掺杂剂源气体，以应对该第一掺杂剂源气体供应管的该外管中该掺杂剂源气体的一压力增加及存在，或应对该第一掺杂剂源气体供应管的该外管中的一压力增加。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括通过一第二掺杂剂源气体供应管将该掺杂剂源气体由一第二掺杂剂源气体储存缸供应至该离子源单元，该第二掺杂剂气体储存缸设置于该气体机壳中。