[发明专利]触控装置

说明书

本发明提供了一种触控装置，包括触控传感器组件以及与触控传感器组件通讯连接的控制器，触控传感器组件包括两层纳米金属导电电极层，每一纳米金属导电电极层上具有多个导电区，控制器发送的电信号具备如下特征中的至少一个：占空比不大于1/10，扫描信号的波形频率不小于30KHz，同一纳米金属导电电极层上相邻的导电区之间产生压差的时间不大于10微秒，同一纳米金属导电电极层上每个导电区的信号一致，从而能够减弱电信号在局部导电区之间形成的电场的强度或者使电信号在局部导电区之间不形成电场，以防止相邻的导电区之间形成电化学回路，导致触控传感器组件失效，能够极大限度地提升触控传感器组件的使用寿命及在极苛刻的环境下的信赖性。

技术领域

本发明涉及一种触控装置，尤其涉及一种能够增强触控传感器组件的耐用性的触控装置。

背景技术

随着近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，触控面板成为现今成像显示设备的首选产品。目前使用率较高的触控面板主要为电容式触控面板，所述电容式触控面板的导电材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)，ITO的透光率较高，导电性能也较好，但是，ITO的面电阻过大，同时非常脆弱，易损坏，随着智能穿戴设备需求的不断增加，触控面板大尺寸、柔性等性能的不断发展，不但要求导电膜本身具有低阻抗性能，也要求导电膜具有极好的耐弯折性能，各厂商纷纷开始研究ITO的替代品。

纳米金属，例如纳米银丝、纳米铜丝等具有优良的导电性、透光性以及耐弯折性，故逐渐被开发应用来替代ITO作为导电电极材料，但是，纳米金属导电膜的导电电极材料-纳米金属具有极高的比表面能，导电性能极佳的纳米金属相较于ITO也更加活泼，氧化反应活化能峰也相对较低，纳米金属易在一定的高能非稳态下越过活化能峰，发生氧化反应，导致导电性能极度降低，失去电学功能，传感灵敏度降低并最终失效。

有鉴于此，有必要对现有的触控装置予以改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够增强触控传感器组件的耐用性的触控装置。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种触控装置，包括触控传感器组件以及与所述触控传感器组件通讯连接的控制器，所述触控传感器组件包括两层纳米金属导电电极层，每一所述纳米金属导电电极层上具有多个导电区以及位于相邻的导电区之间的非导电区，所述控制器给所述导电区发送电信号以驱动所述触控传感器组件，所述纳米金属导电电极为纳米银丝导电电极或纳米铜丝导电电极，所述控制器发送的电信号具备如下特征中的至少一个以防止导电区发生氧化反应：占空比不大于1/10，扫描信号的波形频率不小于30KHz，同一纳米金属导电电极层上相邻的导电区之间产生压差的时间不大于10微秒，同一纳米金属导电电极层上每个导电区的信号一致；所述同一纳米金属导电电极层上每个导电区的信号一致是指同一纳米金属导电电极层上每个导电区的电压开始时间、电压持续时间、电压结束时间以及电压值一致。

作为本发明的进一步改进，所述触控装置还包括位于所述触控传感器组件上方的透明盖板、将所述透明盖板以及所述触控传感器组件贴合在一起的第一贴合层，所述第一贴合层的水汽渗透率不大于1.5*10^-2。

作为本发明的进一步改进，同一纳米金属导电电极层上相邻两个导电区之间的距离不小于30微米。

作为本发明的进一步改进，所述非导电区上还具有虚拟电极块，所述虚拟电极块与相邻的导电区之间相互绝缘设置；所述虚拟电极块的面积不大于1mm²。

作为本发明的进一步改进，所述触控传感器组件还包括基材层，两层所述纳米金属导电电极层分设于所述基材层的相对两侧，所述基材层的水汽渗透率不大于10^-3。

作为本发明的进一步改进，所述触控传感器组件还包括设于所述纳米金属导电电极层上远离所述基材层的一侧的保护层，所述保护层的水汽渗透率不大于10^-2。