[发明专利]一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011164047.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112151604A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 周倩 | 申请（专利权）人： | 上海菱芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 201210 上海市中国（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt 器件 米勒 电容 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，包括N型衬底（4），栅极（1），发射极（2），收集极（3），P型井（5），重掺杂的N型区（6）和重掺杂的P型区（7），其特征在于，还包括常规栅氧层（82）和厚栅氧层（81）；
所述厚栅氧层（81）设置在N型衬底（4）的顶面的中部位置，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；
所述常规栅氧层（82）成形于所述厚栅氧层（81）的侧壁，位于所述栅极（1）与N型衬底（4）之间；
所述厚栅氧层（81）的厚度大于常规栅氧层（82）的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述常规栅氧层（82）的厚度为1200A。
3.根据权利要求1所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述厚栅氧层（81）的厚度为不小于2000A。
4.一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）、在N型衬底的表面进行氧化层生长；
2）、在氧化层上进行光刻工艺使邻原胞中心位置覆盖一层光刻胶保护，然后进行氮元素离子注入；
3）、去除光刻胶层和氧化层，然后进行常规栅氧化层的生长工艺；
4）、栅极，发射极，收集极，P型井，重掺杂的N型区和重掺杂P型区的制备。
5.根据权利要求4所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤1）中氧化层生长厚度为200A。
6.根据权利要求4所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2）中氮元素离子注入浓度为2E13~1E15。
7.根据权利要求4所述的一种平面型IGBT器件米勒电容的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2）中氮元素注入能量为30Kev~60Kev。
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