[发明专利]复合材料及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202011164706.3 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN114479827A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 聂志文 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合材料 及其 制备 方法 发光二极管 | ||
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供包括有量子点、由金属阳离子前驱体提供的金属阳离子以及由阴离子前驱体提供的阴离子的第一混合体系；
将所述第一混合体系进行第一反应，使得所述金属阳离子和所述阴离子键合在所述量子点的表面，且使得键合在所述量子点表面的金属阳离子形成对应的金属氧化物，获得第二混合体系；
在所述第二混合体系中加入壳层阳离子前驱体，并进行第二反应，以使得由所述壳层阳离子前驱体提供的壳层阳离子与键合在所述量子点表面的阴离子结合形成壳层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属阳离子前驱体为磁性金属源，
所述阴离子前驱体提供的阴离子为ⅥA族元素的阴离子。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述磁性金属源包括铁源、钴源、镍源、锰源和钆源中的至少一种，
所述阴离子为硫离子、硒离子和碲离子中的至少一种。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一反应在氧化性气氛下进行，且所述第一反应的温度小于所述金属阳离子和所述阴离子的反应温度；和/或
所述第二反应的温度大于所述第一反应的温度。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一反应包括：在200℃-300℃下保温反应1-90分钟；和/或
所述第二反应的温度为250℃-350℃。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
在进行第二反应的步骤之后，加入所述壳层阳离子前驱体和硫离子前驱体，并进行第三反应，以使得所述壳层阳离子前驱体和所述硫离子前驱体在所述壳层的表面结合形成保护层。
7.如权利要求1所述的制备方法，所述金属阳离子和所述量子点的金属原子的摩尔比为(0.01-1):1；和/或
所述金属阳离子和所述阴离子的摩尔比为(0.1-1):10。
8.如权利要求1至7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述壳层阳离子前驱体的壳层阳离子的元素与所述量子点的金属原子的元素为同族元素；和/或
所述量子点的材料选为II-VI族半导体、III-V族半导体和IV-VI族半导体中的至少一种。
9.一种复合材料，其特征在于，包括：量子点和包覆所述量子点的壳层，且所述量子点和所述壳层之间形成有金属氧化物。
10.如权利要求9所述的复合材料，其特征在于，形成所述壳层的材料为ⅥA族化合物，
所述金属氧化物为磁性金属氧化物。
11.如权利要求10所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料还包括保护层，所述保护层包覆所述壳层，
所述壳层为硫化物层、硒化物层和碲化物层中的至少一种，所述保护层为硫化物层，
所述磁性金属氧化物为氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化锰和氧化钆中的至少一种。
12.一种发光二极管，其特征在于，包括发光层，形成所述发光层的材料包括权利要求1至8任一项所述的制备方法制得的复合材料或权利要求9至11任一项所述的复合材料。
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