[发明专利]逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统和方法有效
申请号: | 202011165074.2 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112367081B | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 王于波;唐晓柯;胡毅;李振国;胡伟波;李德建 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;南开大学;国网信息通信产业集团有限公司 |
主分类号: | H03M1/10 | 分类号: | H03M1/10 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 肖冰滨;王晓晓 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逐次 逼近 模拟 数字 转换器 电容 阵列 校正 系统 方法 | ||
1.一种逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,所述电容阵列包括第一电容组和第二电容组,所述第一电容组和所述第二电容组分别包括多个待校准电容和多个参考电容,所述第一电容组和所述第二电容组的电容对应设置,其特征在于,该系统包括:
第一比较器、数字逻辑控制器、采样开关组、第一开关组以及第二开关组,其中,所述采样开关组中的一个采样开关连接在所述第一电容组的上极板和地之间,另一个采样开关连接在所述第二电容组的上极板和地之间;所述第一开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第一电容组的上极板之间,另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第二电容组的上极板之间;所述第二开关组的一个开关连接在所述第一比较器的正端和所述第二电容组的上极板之间,另一个开关连接在所述第一比较器的负端和所述第一电容组的上极板之间;
针对所述第一电容组或所述第二电容组的任一待校准电容,所述数字逻辑控制器用于:
控制所述采样开关组闭合,并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样;
控制所述第一开关组闭合,所述采样开关组断开,并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作,记录所针对的待校准电容的第一信息;
控制所述采样开关组闭合,所述第一开关组断开,并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样;
控制所述第二开关组闭合,所述采样开关组断开,并控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作,记录所针对的待校准电容的第二信息;
根据所记录的第一信息和第二信息,得到所针对的待校准电容的实际信息。
2.根据权利要求1所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,其特征在于,所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作以进行采样包括:
控制所针对的待校准电容的下极板接地,所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容的下极板接参考电压,另一电容组的多个参考电容的下极板接地。
3.根据权利要求2所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,其特征在于,
所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作,记录所针对的待校准电容的第一信息包括:
控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压;
以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转,另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转,直到所述第一比较器的输出翻转时,记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第一信息;
所述控制所述第一电容组和所述第二电容组的下极板动作,记录所针对的待校准电容的第二信息包括:
控制所针对的待校准电容的下极板接参考电压;
以逐次逼近的方式控制所针对的待校准电容所在的电容组的多个参考电容中至少一个参考电容的下极板在接地和接参考电压之间进行翻转,另一电容组的对应设置的参考电容进行相反翻转,直到所述第一比较器的输出翻转时,记录此时所针对的待校准电容所在的电容组中翻转的参考电容的第二信息。
4.根据权利要求1所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,其特征在于,所述第一电容组和所述第二电容组分别包括理论电容值依次翻倍的多个待校准电容和多个参考电容,其中所述多个参考电容的任一者的理论电容值小于所述多个待校准电容的任一者的理论电容值。
5.根据权利要求1或2所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,其特征在于,该系统还包括:
数字校准寄存器,用于存储所针对的待校准电容的实际信息。
6.根据权利要求1所述的逐次逼近式模拟数字转换器的电容阵列校正系统,其特征在于,所述逐次逼近式模拟数字转换器包括:
第二比较器,与所述第一电容组和所述第二电容组的上极板连接,以在所述第一电容组和所述第二电容组的每个待校准电容校准完成后,所述逐次逼近式模拟数字转换器进入正式工作时使用。
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