[发明专利]半导体结构的形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，基底内还形成有多个分立的通孔，且位于第一区域的通孔的排布密度大于位于第二区域的通孔的排布密度；形成填充通孔的牺牲层；刻蚀牺牲层周围部分厚度的基底形成开口，开口环绕牺牲层，在垂直于基底表面的方向上，开口的深度小于通孔的深度；去除牺牲层，开口与对应的通孔相连通，形成沟槽；本发明实施例用于避免因不同的图案密度所产生的刻蚀缺陷。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体器件特征尺寸的减小，使得半导体结构中通孔之间的间距减小，半导体结构中通孔的排布密度不均一，导致存在部分区域的通孔的排布密度大，部分区域的通孔的排布密度小。

在填充通孔的过程中，相同的填充时间内，排布密度大的通孔填充的高度较低，导致半导体结构中各通孔的填充高度不同，后续在刻蚀形成大马士革结构的过程中，由于通孔填充的高度不同，容易产生刻蚀缺陷，从而影响形成的半导体结构的良率。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，避免因不同的图案密度所产生的刻蚀缺陷。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底，基底内还形成有多个分立的通孔，且位于第一区域的通孔的排布密度大于位于第二区域的通孔的排布密度；形成填充通孔的牺牲层；刻蚀牺牲层周围部分厚度的基底形成开口，开口环绕牺牲层，在垂直于基底表面的方向上，开口的深度小于通孔的深度；去除牺牲层，开口与对应的通孔相连通，形成沟槽。

与相关技术相比，通过形成牺牲层填充通孔，填充通孔的牺牲层的高度一致，从而保证后续基于牺牲层刻蚀形成大马士革结构的过程中，因不同的图案密度所产生的刻蚀缺陷，进而提高半导体结构的良率。

另外，在垂直于基底表面的方向上，位于第一区域的牺牲层的高度与位于第二区域的牺牲层的高度齐平，形成填充通孔的牺牲层，包括以下步骤：形成填充通孔且覆盖基底的牺牲膜；对牺牲膜进行平坦化处理，剩余牺牲膜作为牺牲层。

另外，对牺牲膜进行平坦化处理，直至剩余牺牲膜的顶部表面与基底顶部表面平行。本发明实施例提供的一种形成的牺牲层的结构，使得基于填充通孔的牺牲层的顶部表面齐平。

另外，对牺牲膜进行平坦化处理，直至暴露出基底的顶部表面。本发明实施例提供的一种形成的牺牲层的结构，使得基于填充通孔的牺牲层的顶部表面齐平。

另外，采用化学机械研磨的方式进行平坦化处理。

另外，牺牲层为采用旋涂方式形成的硬掩模。

另外，牺牲层的材料包括多晶硅。通过多晶硅形成的牺牲层，刻蚀选择比更大，避免在刻蚀形成开口的过程中，牺牲层被过刻蚀。

另外，在平行于基底表面的方向上，位于第二区域的开口的宽度大于位于第一区域的开口的宽度。

另外，采用氢气等离子体去除牺牲层。采用氢气等离体子体去除牺牲层，氢气等离体子体仅存在化学反应效应，不存在轰击效应，避免在去除牺牲层的过程中，已形成的开口形貌被破坏。

另外，刻蚀牺牲层周围部分厚度的基底形成开口，包括以下步骤：在基底的顶部表面形成图形化的掩膜层，在平行于基底表面的方向上，图形化的掩膜层暴露出的图形在基底上的正投影完全覆盖牺牲层在基底上的正投影；基于图形化掩膜层，刻蚀部分高度的基底，形成开口；去除图形化的掩膜层。

另外，在牺牲层的顶部表面形成图形化的掩膜层，包括以下步骤：在牺牲层的顶部表面形成掩膜层；在掩膜层的顶部表面形成图形化的光刻胶，图形化的光刻胶暴露出的图形在基底上的正投影完全覆盖牺牲层在基底上的正投影；基于图形化的光刻胶，刻蚀部分掩膜层，形成图形化的掩膜层。

附图说明