[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，应用于太阳能电池组件，其特征在于，所述太阳能电池包括第一导电类型的晶硅衬底，所述晶硅衬底包括第一表面和第二表面，其中：

所述第一表面上从内到外依次制备有第一隧穿薄膜层、第二导电类型的掺杂多晶硅层、第一钝化层、抗反射层和掩膜层，还制备有第一金属电极，所述第一金属电极穿透所述掩膜层、所述抗反射层和所述第一钝化层后与所述掺杂多晶硅层形成欧姆接触；

所述第二表面上从内到外依次制备有第二隧穿薄膜层、第一导电类型的重掺杂多晶硅层、第二钝化层、第一导电类型的超重掺杂多晶硅层和透明导电层，还制备有第二金属电极和低温导电电极，所述第一金属电极穿透所述透明导电层、所述超重掺杂多晶硅层和所述第二钝化层后与所述重掺杂多晶硅层形成欧姆接触，所述低温导电电极与所述透明导电膜形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一隧穿薄膜层为碳族元素的混合物薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜或氮氧化物薄膜，或者为金属氧化物薄膜，其厚度为1-5nm。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度为20-200nm、掺杂浓度为10¹⁸-10²²cm^-3；

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层为碳族元素的混合物薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜或氮氧化物薄膜，或者为金属氧化物薄膜，其厚度为1-20nm。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掩膜层为透光性强的低折射率绝缘体薄膜。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述重掺杂多晶硅层的厚度为20-200nm、掺杂浓度为10¹⁸-10²²cm^-3。

7.权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层为碳族元素的混合物薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、氮氧化物薄膜，或者为金属氧化物薄膜，其厚度为1-10nm。

8.权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述超重掺杂多晶硅层的厚度为40-200nm、掺杂浓度为10²²-10²³cm^-3。