[发明专利]利用图形反转制作光子晶体的方法及光子晶体有效
| 申请号： | 202011165698.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112462468B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 图形 反转 制作 光子 晶体 方法 | ||
1.一种利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供绝缘体上硅(SOI)衬底；
在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上依次沉积刻蚀停止层和硬掩膜层；所述刻蚀停止层的材料为氮化硅；所述硬掩膜层的材料为非晶硅(α-Si)；
采用光刻工艺刻蚀所述硬掩膜层，以形成第一图形；
采用氧化工艺氧化所述第一图形，以使所述第一图形的外侧面上形成氧化物层，减小所述第一图形的线宽；
沉积介质材料，以在所述第一图形的间隙形成第二图形；
刻蚀去除所述硬掩膜层；
以所述第二图形为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅(SOI)衬底。
2.根据权利要求1所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，所述绝缘体上硅(SOI)衬底包括支撑衬底、位于所述支撑衬底上的氧化物埋层(BOX层)以及位于所述氧化物埋层上的硅层。
3.根据权利要求1所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，沉积介质材料，以在所述第一图形的间隙形成第二图形包括：
在第一图形间隙，覆盖所述刻蚀停止层沉积介质材料，形成介质层；
对所述介质层进行平坦化，以漏出所述硬掩膜层的上表面。
4.根据权利要求3所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，采用化学机械抛光(CMP)工艺平坦化所述介质层。
5.根据权利要求1或3所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，所述介质材料为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述硬掩膜层，以使所述第二图形的侧面裸露，形成图形化的第二图形。
7.根据权利要求6所述的利用图形反转制作光子晶体的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液。
8.根据权利要求1-7任一项所述的利用图形反转制作光子晶体的方法制备得到的光子晶体。
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