[发明专利]一种基于钙钛矿的空间太赫兹调制器及制备方法

权利要求书

1.一种基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，包括由下至上依次设置的底部基底、底部电子调制层、电子传输层、钙钛矿材料层、空穴传输层、顶部空穴调制层、顶部基底；所述底部电子调制层由石墨烯薄膜制成；所述顶部空穴调制层由石墨烯薄膜制成；

所述钙钛矿材料层用于当泵浦光激励照射在钙钛矿材料上时产生大量光生载流子电子空穴对；所述底部电子调制层用于当自由电子通过所述电子传输层注入时，所述底部电子调制层的电子载流子浓度和电导率快速增加，使太赫兹的透射率显著下降；所述顶部空穴调制层用于当光生载流子电子空穴对中的大量空穴通过空穴传输层注入时，所述顶部空穴调制层的空穴载流子浓度和电导率快速增加，将导致太赫兹的透射率显著下降。

2.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述底部基底采用石英基底、PET基底、PDMS衬底任一种制成。

3.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述电子传输层采用TiO₂与ZnO中的任一种制成。

4.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述钙钛矿材料层具有ABX₃钙钛矿晶体结构。

5.根据权利要求4所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述A为Cs⁺、NH₄⁺、MA⁺、FA⁺、(Cs_xFA_1-x)⁺、(Cs_xMA_1-x)⁺、(FA_xMA_1-x)⁺中的任意一种；B为Pb²⁺、Sn²⁺、(Sn_xPb_1-x)²⁺中的任意一种；X为I^-、Cl^-、(Cl_xI_1-x)^-中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述空穴传输层采用Spiro-OMeTad、FTAA、H₃MT、PEDOT:PASS的任意一种材料制成。

7.根据权利要求1所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器，其特征在于，所述顶部基底采用石英基底、PET基底、PDMS衬底任一种制成。

8.一种如权利要求1至7任一所述的基于钙钛矿的空间太赫兹调制器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

分别制备底部基底和顶部基底；

将底部电子调制层设置在底部基底上；

将顶部空穴调制层设置在顶部基底上；

将电子传输层设置在底部电子调制层上；

将钙钛矿材料层设置在电子传输层上；

将空穴传输层设置在钙钛矿材料层上；

将顶部空穴调制层设置在空穴传输层上，完成基于钙钛矿的空间太赫兹调制器的制备。