[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一间隔区、第二间隔区和有源区，所述第一间隔区和所述第二间隔区分别设于所述有源区两侧；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极部以及与所述栅极部相连的伪栅部，所述栅极部包括第一栅极部，所述第一栅极部覆盖部分所述有源区并延伸覆盖部分所述第一间隔区和部分所述第二间隔区，所述伪栅部包括第二栅极部和第三栅极部，所述第二栅极部和所述第三栅极部分别设于所述第一栅极部的相对的两侧，并且所述第二栅极部和所述第三栅极部在所述第一栅极部的相对的两侧呈对称设置；

以所述栅极结构为掩膜执行倾斜离子注入，以在所述有源区中形成轻掺杂源区和漏区。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二栅极部位于所述第一间隔区上，所述第三栅极部位于所述第二间隔区上，并且所述第二栅极部与所述第三栅极部平行。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一栅极部沿第一方向延伸，所述第二栅极部和所述第三栅极部均沿第二方向延伸并与所述第一栅极部连接为一体；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构在所述半导体衬底水平方向上的截面呈H型。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的材质为多晶硅或者金属。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述栅极结构为掩膜执行倾斜离子注入时，采用的注入角度为1°～89°，所述注入角度为倾斜离子注入的注入方向与垂直于所述有源区的平面之间的夹角。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一间隔区和所述第二间隔区的所述半导体衬底中均形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构自所述半导体衬底表面延伸至所述半导体衬底中。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述栅极结构为掩膜执行倾斜离子注入，所述半导体器件的形成方法还包括：在所述有源区和所述栅极结构上形成接触结构。

9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一间隔区、第二间隔区和有源区，所述第一间隔区和所述第二间隔区分别设于所述有源区两侧；

栅极结构，所述栅极结构形成于所述半导体衬底上，所述栅极结构包括栅极部以及与所述栅极部相连的伪栅部，所述栅极部包括第一栅极部，所述第一栅极部覆盖部分所述有源区并延伸覆盖部分所述第一间隔区和部分所述第二间隔区，所述伪栅部包括第二栅极部和第三栅极部，所述第二栅极部分别设于所述第一栅极部的相对的两侧，并且所述第一栅极部和所述第二栅极部在所述第一栅极部的相对的两侧呈对称设置；

轻掺杂源区和漏区，所述轻掺杂源区和漏区形成于所述有源区中。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极结构在所述半导体衬底水平方向上的截面呈H型。