[发明专利]硅片表面绒面结构的制备方法

权利要求书

1.一种硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供硅片，对所述硅片的表面进行无掩膜刻蚀和/或无掩膜离子注入的前处理，使所述硅片的表面变粗糙；

将变粗糙的所述硅片的表面进行碱制绒，以在变粗糙的所述硅片的表面形成金字塔绒面结构。

2.如权利要求1所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述金字塔绒面结构呈正四棱锥阵列分布。

3.如权利要求2所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述正四棱锥的侧面为{111}晶面族，底面为(100)晶面。

4.如权利要求1所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，在将变粗糙的所述硅片的表面进行碱制绒步骤中，将所述硅片置于碱溶液中并保持600秒～2500秒，温度设置在80～88℃。

5.如权利要求4所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述碱溶液包括TMAH、氨水、KOH、NaOH中的至少一种。

6.如权利要求4所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述碱溶液包括：质量分数为1％～3％的氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液。

7.如权利要求1所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述无掩膜刻蚀为等离子刻蚀或者非等离子刻蚀。

8.如权利要求7所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述等离子刻蚀采用的气体包括：SF₆、C₄F₈和Ar，且所述SF₆气体流量为70sccm～140sccm，C₄F₈气体流量为75sccm～100sccm，Ar气体流量为15sccm～45sccm。

9.如权利要求1所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，在所述无掩膜离子注入中，以垂直于所述硅片表面的竖直面为基准，离子注入倾斜角度在大于等于15度小于等于75度的范围内。

10.如权利要求1所述的硅片表面绒面结构的制备方法，其特征在于，所述无掩膜离子注入中，离子的注入能量范围5keV～45keV，离子的注入剂量范围5×10¹⁴ions/cm²～1×10¹⁶ions/cm²。