[发明专利]基板承载装置

说明书

本发明所提供的基板承载装置，可运用于面下型(Face Down)反应腔，能使基板(晶圆)以反应面朝下的方式与反应气体进行接触，让粉尘因为重力关往下沉降而不容易附着于基板的反应面，以改善因粉尘飘散而造成的良率损失问题。其次，基板承载装置还能导入气浮气体，以使基板悬浮与旋转，让基板的受热效果更为均匀与精确，进而改善基板成膜效果更不均的问题。

技术领域

本发明涉及半导体化学气相沉积设备技术领域，特别是涉及一种基板承载装置。

背景技术

化学气相沉积为一种在基板(晶圆)的反应面，形成薄膜的重要手段，其将基板固定在一反应腔中，对基板加热并使基板的反应面与反应气体接触而形成薄膜。在此制程中，若产生的粉尘若飘散于反应面，就会造成良率下降的问题，而影响生产质量。

其次，在高温低压的气相沉积制程中，基板的反应面与反应气体的接触是否均匀，基板的反应面的加热温度是精准与均匀，都会直接影响薄膜形成的质量。再者，基板置入反应腔后的定位方式也影响薄膜的行程质量，而薄膜形成后的取出方式是否便于通过自动化设备执行，也是影响基板的产能的主要因素。

发明内容

本发明的主要目的，在提供一种基板承载装置，以供基板以反应面朝下的方式进行化学气相沉积反应，让粉尘因为重力关往下沉降而不容易附着于基板的反应面。为达上述目的，本发明所提供的种基板承载装置，用于承载至少一基板并包含：至少一碟盘，具有一上方开放的基板槽，以供基板以反应面朝下的方式置入，基板槽下方设有一反应口以供反应面裸露；一下大盘，具有至少一个上方开放的碟盘槽，以供碟盘置入，碟盘槽下方设有一底口以供反应面裸露；以及一上大盘，遮盖于下大盘的上方并将碟盘槽上方封闭。

实施时，碟盘槽设有一环槽沟，碟盘设有一入于环槽沟的对接部，环槽沟内设有一环状气浮通道；环状气浮通道以切线方向衔接一入气引道，以引入气浮气体施力于对接部，使碟盘悬浮及旋转；环槽沟衔接于一第一泄出口，以供气浮气体排出。

实施时，以气浮气体的引入流量大小控制碟盘的悬浮高度。

实施时，基板上方与上大盘的间保持一受热间距，受热间距至少为基板生成薄膜过程产生翘曲规模的20倍。

实施时，上大盘设有一第二泄出口与第一泄出口衔接。

实施时，基板槽内壁边沿设有若干承载指以承托基板的边沿，承载指的顶面朝向基板槽中心倾斜

实施时，上大盘对应于碟盘上方的位置设置一曲面传导区。

实施时，碟盘槽设有一环槽沟，碟盘设有一入于环槽沟的对接部，环槽沟内设有一环状气浮通道；环状气浮通道以切线方向衔接一入气引道，此入气引道与升降筒暨废气收集环上的供气管道相连以引入气浮气体施力于对接部，使碟盘悬浮及旋转；环槽沟衔接于一第一泄出口，以供气浮气体排出。

实施时，以气浮气体的引入流量大小控制碟盘的悬浮高度。

实施时，基板上方与上大盘的间保持一受热间距，受热间距至少为基板生成薄膜过程产生翘曲规模的20倍。

实施时，上大盘设有一第二泄出口与第一泄出口衔接。

实施时，基板槽内壁边沿设有若干承载指以承托基板的边沿，承载指的顶面朝向基板槽中心倾斜。

实施时，化学气相沉积反应腔进一步包含一下加热模块，下加热模块设置在腔体下方。

实施时，升降筒暨废气收集环带动基板承载装置旋转。

实施时，上大盘对应于碟盘上方的位置设置一曲面传导区。

相较于先前技术，本发明所提供关于化学气相沉积反应腔及其基板承载装置的技术手段，能提供基板较佳的产品良率，并且有利于自动化生产而提高产能。

附图说明