[发明专利]一种EITZO靶材及其制备方法

说明书

本发明提供了一种EITZO靶材，所述EITZO靶材包括氧化金属组合物，所述EITZO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以组分：氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌；所述氧化铒占所述氧化金属组合物的5％～10％；所述EITZO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压胚成型后烧结。本发明的EITZO靶材将氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌搭配，经成型烧结得到EITZO靶材显著的提高了EITZO靶材镀膜后的迁移率，提高了分辨率，并且降低了EITZO靶材的晶粒尺寸。本发明的EITZO靶材在控制低成本的前提下提高了EITZO靶材镀膜后的迁移率，提高了分辨率，并且降低了EITZO靶材的晶粒尺寸，提高了EITZO靶材的相对密度。

技术领域

本发明涉及靶材领域，具体涉及一种EITZO靶材及其制备方法。

背景技术

磁控溅射技术是制备高性能薄膜材料的重要技术，应用于各种高端电子行业。磁控溅射制备氧化物薄膜晶体管(TFT)有源层，具有良好的迁移率和稳定性，可满足高分辨LCD、AMOLED、电子纸等高端显示的需求，并且相比于LTPS有源层有工艺简单、成本低、均匀性好等优势。但是，目前商用的氧化物半导体的迁移率仍低于LTPS技术，LTPS技术存在的问题就是成本高。专利号为CN103540895A发明名称为溅射靶材及氧化金属薄膜的专利公开了一种溅射靶材及氧化金属薄膜，虽然在成本上有降低，但是迁移率低。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种EITZO靶材及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种EITZO靶材，所述EITZO靶材包括氧化金属组合物，所述EITZO靶材包括氧化金属组合物，所述氧化金属组合物包括以组分：氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌；所述氧化铒占所述氧化金属组合物的5％～10％；

所述EITZO靶材的制备过程包括：将所述氧化金属组合物压胚成型后烧结。

上述的EITZO靶材将氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌搭配，经成型烧结得到EITZO靶材显著的提高了EITZO靶材镀膜后的迁移率，提高了分辨率，并且降低了EITZO靶材的晶粒尺寸。上述的EITZO靶材在控制低成本的前提下提高了EITZO靶材镀膜后的迁移率，提高了分辨率，并且降低了EITZO靶材的晶粒尺寸。上述靶材在搭配氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌后，上述靶材相对密度大于95％，抗压强度大于80MPa，上述靶材镀膜后的器件迁移率超过30cm²/(Vs)，分辨率超过300PPI。

优选地，所述氧化铟占所述氧化金属组合物重量的50％～55％，所述氧化锡占所述氧化金属组合物重量的25％～30％，所述氧化锌占所述氧化金属组合物重量的15％～20％。

发明人发现在上述重量配比下的EITZO靶材具有更好的相对密度和抗压强度，镀膜后的迁移率更优。

优选地，所述压胚成型后烧结的最高温度为1500～1600℃。

优选地，所述EITZO靶材的制备方法包括以下步骤：

(1)将所述氧化金属组合物按照重量配比制备得到混合粉末，所述混合粉末的D50小于0.5μm，所述混合粉末的半峰宽小于0.5；

(2)将所述混合粉末、粘结剂和去离子水混合均匀，干燥得到EITZO粉末；所述EITZO粉末的粒度小于200μm；

(3)将所述EITZO粉末压胚成型后在氧气氛围下烧结得到所述EITZO靶材。

本发明还提供上述任一所述EITZO靶材的制备方法，所述方法包括以下步骤：

(1)将氧化铟、氧化锡、氧化铒和氧化锌按照重量配比制备得到混合粉末，所述混合粉末的D50小于0.5μm，所述混合粉末的半峰宽小于0.5；