[发明专利]一种全光纤电光器件及其构建方法有效

专利信息
申请号: 202011167667.2 申请日: 2020-10-27
公开(公告)号: CN112415790B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 徐飞;王好尚;熊毅丰;陆延青;胡伟 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G02F1/03 分类号: G02F1/03;G02F1/035
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 苏虹
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 电光 器件 及其 构建 方法
【权利要求书】:

1.一种全光纤电光器件,其特征在于:包括光纤、透明导电薄膜层、透明绝缘薄膜层、电极、具有光电特性的薄膜材料层,光纤的侧壁和一端面从内至外依次设有透明导电薄膜层、透明绝缘薄膜层和电极,侧壁的透明导电薄膜层与端面的透明导电薄膜层相连,侧壁的透明绝缘薄膜层与端面的透明绝缘薄膜层相连,薄膜材料层设于端面的透明绝缘薄膜层上方;电极包括一对侧壁金属电极和一对端面金属电极,侧壁金属电极和端面金属电极相连,一对端面金属电极设于薄膜材料层的两侧并与其相连;设于光纤侧壁的透明导电薄膜层、透明绝缘薄膜层、金属电极的长度依次递减。

2.根据权利要求1所述的全光纤电光器件,其特征在于:所述薄膜材料层位于光纤端面的中心位置,侧壁金属电极相对于光纤的轴线对称分布,端面金属电极相对于光纤的轴线对称分布。

3.根据权利要求1所述的全光纤电光器件,其特征在于:光纤为光波导,透明导电薄膜层的材料为ITO或IWO,透明绝缘薄膜为SiO2、Si3N4、Al2O3或派瑞林,薄膜材料层的材料为二维材料、量子点、铁电薄膜或压电薄膜。

4.根据权利要求1所述的全光纤电光器件,其特征在于:所述透明导电薄膜层的厚度为0.1~0.5μm,所述透明绝缘薄膜的厚度为0.05~0.2μm,电极的厚度为0.03~0.05μm。

5.根据权利要求1所述的全光纤电光器件,其特征在于:薄膜材料层的厚度为0.3~10nm。

6.一种全光纤电光器件的构建方法,其特征在于包括如下步骤:

(1)光纤的预处理;

(2)在光纤的一端面和侧壁沉积透明导电薄膜,使侧壁和端面的透明导电薄膜相连,形成透明导电薄膜层;光纤的另一端面用于接入光路;

(3)在透明导电薄膜层表面沉积透明绝缘薄膜,使侧壁和端面的透明绝缘薄膜相连,形成透明绝缘薄膜层,且侧壁的透明绝缘薄膜层长度小于透明导电薄膜层;

(4)在透明绝缘薄膜层表面沉积金属薄膜,使侧壁和端面的金属薄膜相连,形成金属薄膜层,且侧壁的金属薄膜层长度小于透明绝缘薄膜层;

(5)对金属薄膜层进行沟道加工,在透明绝缘薄膜上形成端面沟道和侧壁沟道,形成一对侧壁金属电极和一对端面金属电极;

(6)将具有光电特性的薄膜材料转移至端面沟道中,使薄膜材料置于端面的透明绝缘薄膜上方、端面金属电极之间,并与两侧端面金属电极相连。

7.根据权利要求6所述的全光纤电光器件的构建方法,其特征在于:光纤的预处理包括去除涂覆层、光纤切割、端面研磨、湿法清洗。

8.根据权利要求6所述的全光纤电光器件的构建方法,其特征在于:沉积工艺为磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、电镀或化学气相沉积。

9.根据权利要求6所述的全光纤电光器件的构建方法,其特征在于:光电材料的转移方法为干化转移或湿法转移。

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