[发明专利]耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置

权利要求书

1.一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，其内具有贯穿的第一通孔；

在所述第一通孔内形成第二衬底；

在所述第二衬底的表面形成耐腐蚀涂层，所述耐腐蚀涂层暴露于等离子体的环境中；

对所述耐腐蚀涂层和所述第二衬底进行局部加热处理，形成贯穿所述耐腐蚀涂层和第二衬底的第二通孔，并在所述第二通孔内侧壁形成致密层。

2.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底仅位于所述第一通孔内，所述耐腐蚀涂层位于所述第一衬底和第二衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底位于所述第一通孔内和第一衬底的表面，所述耐腐蚀涂层位于所述第二衬底的表面。

4.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底表面具有定位特征结构，所述定位特征结构包括销孔和凹凸等结构，用于所述局部加热处理前对第二通孔的定位。

5.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第一通孔直径大于第二通孔直径。

6.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述局部加热处理包括脉冲激光加热或脉冲电子束加热中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述脉冲激光加热的能量密度为100W/mm²～5000W/mm²，所述脉冲电子束加热的能量密度为100W/mm²～5000W/mm²。

8.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述致密层为结晶结构。

9.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的材料包括：稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物中的至少一种；所述耐腐蚀涂层的形成工艺为物理气相沉积法、化学气相沉积法或原子层沉积法中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底的材料为耐等离子体材料；形成所述第二衬底的工艺为喷涂工艺或者热压烧结工艺。

11.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的致密度为：95％～100％。

12.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底的致密度为85％～100％。

13.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述致密层的致密度为：98％～100％。

14.根据权利要求1所述的一种耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底仅位于所述第一通孔内，所述耐腐蚀涂层位于所述第一衬底和第二衬底的表面。

15.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二衬底位于所述第一衬底的表面和第一通孔内，所述耐腐蚀涂层位于所述第二衬底的表面。

16.根据权利要求1所述的耐等离子体腐蚀的半导体零部件的形成方法，其特征在于，所述第二通孔的深度与宽度之比的范围为1:1～100:1。