[发明专利]Nand存储器的CCI噪声预判均衡方法及相关设备在审
申请号: | 202011167890.7 | 申请日: | 2020-10-27 |
公开(公告)号: | CN112289362A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 赵朔天;黎杨;段廷勇;于大治 | 申请(专利权)人: | 深圳电器公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 存储器 cci 噪声 均衡 方法 相关 设备 | ||
1.一种Nand存储器的CCI噪声预判均衡方法,其特征在于,所述Nand存储器包括N页数据页,所述方法包括:
从第N页数据页开始,逐页对数据页进行如下处理:
判断数据页是否受CCI干扰;
确定所述数据页受到CCI干扰时,获取所述数据页中受CCI干扰的存储单元的阈值电压;
根据所述存储单元对应的阈值电压变化量预估值、第一预设映射关系对所述阈值电压进行修正,所述第一预设映射关系为所述Nand存储器的多个参考电压与存储状态的对应关系,一个存储状态与一种存储数据对应,将所述阈值电压修正为所述多个参考电压中的一个。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断数据页是否受CCI干扰,包括:
获取所述数据页中的存储单元的阈值电压;
将所述阈值电压与所述第一预设映射关系进行匹配;
若所述阈值电压与所述参考电压不匹配,则所述存储单元为受CCI干扰的存储单元,所述数据页为受CCI干扰的数据页;
若所述阈值电压与所述参考电压匹配,则所述存储单元为未受CCI干扰的存储单元,所述数据页为未受CCI干扰的数据页。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断数据页是否受CCI干扰,包括:
获取所述数据页中的存储单元的增量电压值;
将所述增量电压值与第二预设映射关系进行匹配,所述第二预设映射关系为标准增量电压和所述Nand存储器的存储状态的对应关系;
若所述增量电压值与所述标准增量电压不匹配,则所述存储单元为受CCI干扰的存储单元,所述数据页为受CCI干扰的数据页;
若所述增量电压值与所述标准增量电压匹配,则所述存储单元为未受CCI干扰的存储单元,所述数据页为未受CCI干扰的数据页。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
确定所述数据页未受到CCI干扰时,获取所述数据页中的存储单元的阈值电压对应的存储数据;
判断所述存储数据是否与所述增量电压值所匹配到的存储状态对应的存储数据一致;
确定存储数据不一致时,对所述阈值电压进行修正。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述阈值电压变化量预估值的预估方法,包括:
根据受CCI干扰的存储单元的阈值电压确定所述存储单元对应的阈值电压变化量预估值所述阈值电压变化量预估值的估计式为:
其中,为第k个受CCI干扰的存储单元的阈值电压,μe为所述存储单元在擦除状态下阈值电压的期望值,γ为存储单元之间的耦合系数。
6.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述存储单元对应的阈值电压变化量预估值、第一预设映射关系对所述阈值电压进行修正,包括:
确定所述存储单元的阈值电压与所述阈值电压变化量预估值之间的第一差值;
确定所述第一差值与所述多个参考电压之间的第二差值,将所述阈值电压修正至最小的所述第二差值对应的参考电压。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法,其特征在于,所述根据所述存储单元对应的阈值电压变化量预估值、第一预设映射关系对所述阈值电压进行修正,包括:
将所述存储单元的阈值电压与所述阈值电压变化量预估值进行相减,以得到第三差值;并将所述阈值电压与所述阈值电压变化量预估值进行相加,以得到电压和;
分别将所述第三差值、所述电压和所述多个参考电压进行匹配,若两者均不匹配,则将所述第三差值减去所述阈值电压变化量预估值,以更新所述第三差值;并将所述电压和加上所述阈值电压变化量预估值,以更新所述电压和,直到所述电压和或所述第三差值与所述参考电压匹配,将所述阈值电压修正至匹配的参考电压。
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