[发明专利]一种基于氮化镓材料的光继电器在审
申请号: | 202011168045.1 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112436832A | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 郭伟玲;郭浩;蔺天宇;程海娟;朱彦旭 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H03K17/785 | 分类号: | H03K17/785;H01L25/16 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氮化 材料 继电器 | ||
1.一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于:包括一个以上的发光器件,一个以上的光电转换器件,两个以上的高电子迁移率晶体管;发光器件、光电转换器件和高电子迁移率晶体管均采用氮化镓材料生长制备;发光器件、光电转换器件芯片进行COB封装,将发光器件正对光电转换器件;或将发光器件和光电转换器件封装在表面具有高反射涂层的透明封装层中;发光器件连接至光继电器的输入端,光电转换器件输出端与上述高电子迁移率晶体管的输入端即栅极与源极相连接,两个高电子迁移率晶体管源极相接,其漏极连接至光继电器的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于,上述发光器件是氮化镓发光二极管;上述光电转换器件是氮化镓光电转换元件;上述高电子迁移率晶体管是氮化镓高电子迁移率晶体管。
3.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于,发光器件、光电转换器件、以及高电子迁移率晶体管的制备封装可以是彼此独立的器件,通过电路板组合在一起。
4.根据权利要求3所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于,发光器件、光电转换器件、以及高电子迁移率晶体管的制备是发光器件和光电转换器件集成在同一芯片;或者是发光器件、光电转换器件和高电子迁移率晶体管三者集成在同一芯片。
5.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于:发光器件是绿色发光单元、蓝色发光单元、蓝绿色发光单元或紫外发光单元,发光器件是倒装芯片结构或者是正装芯片结构。
6.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于:光电转换器件是绿色感光单元、蓝色感光单元、蓝绿色感光单元或紫外感光单元。
7.根据权利要求1所述的一种基于氮化镓材料的光继电器,其特征在于高电子迁移率晶体管是增强型器件或者是耗尽型器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011168045.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多组分称重式智能配料系统
- 下一篇:液剂混合泵及其工作方法