[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202011169193.5 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112750833A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 安敞茂;姜相列;朴瑛琳;徐钟汎;安世衡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L49/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 陈晓博;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

公开了一种半导体装置。半导体装置包括:接地垫,位于基底上;下电极,位于接地垫上,下电极电连接到接地垫;介电层,位于下电极上,介电层沿下电极的轮廓延伸;上电极,位于介电层上;以及上板电极,位于上电极上并在其中包括第一氟(F),其中,上板电极包括面对上电极的界面,并且其中,上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。

本申请要求于2019年10月29日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0135044号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法,更具体地,涉及一种使用电容器作为数据存储元件的半导体装置及其制造方法。

背景技术

近来,随着具有更大存储容量的半导体装置已经被高度地集成,设计规则已经持续地降低。在作为一种类型的半导体存储器装置的动态随机存取存储器(DRAM)中也可以看到这种趋势。为了使DRAM工作,在每个单元中需要超过一定水平的电容。

电容的增加可以增大电容器中存储的电荷的量,从而改善半导体装置的刷新特性。半导体装置的改善的刷新特性可以提高半导体装置的成品率。

为了增加电容,已经研究了在电容器中利用具有高介电常数的介电层或者增加电容器的下电极与介电层之间的接触面积的方法。

发明内容

本公开的各方面提供了一种通过板电极与上电极之间的界面工程而具有改善的性能和可靠性的半导体装置。

本公开的各方面也提供了一种用于制造通过板电极与上电极之间的界面工程而具有改善的性能和可靠性的半导体装置的方法。

根据本发明构思的示例实施例,一种半导体装置包括:接地垫,位于基底上;下电极,位于接地垫上,下电极电连接到接地垫;介电层,位于下电极上,介电层沿着下电极的轮廓延伸;上电极,位于介电层上;以及上板电极,位于上电极上并且在其中包括第一氟(F),其中,上板电极包括面对上电极的界面,并且其中,上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。

根据本发明构思的示例实施例,一种半导体装置包括:接地垫,位于基底上;下电极,位于接地垫上,下电极电连接到接地垫;介电层,位于下电极上,介电层沿着下电极的轮廓延伸;上电极,位于介电层上;以及上板电极,包括位于上电极上的下板区域和上板区域,其中,下板区域位于上电极与上板区域之间,并且其中,下板区域在其中包括氟,并且上板区域不包括氟。

根据本发明构思的示例实施例,一种半导体装置包括:沟槽,位于基底中;栅电极,填充沟槽的一部分;掩埋接触件,位于栅电极的至少一侧上并且电连接到基底;接地垫,位于掩埋接触件上;以及电容器,电连接到接地垫,其中,电容器包括电连接到接地垫的下电极、位于下电极上的介电层、位于介电层上的上电极以及位于上电极上的上板电极,其中,上板电极包括氟,并且其中,上板电极包括氟的浓度随着距上电极的距离增大而减小的部分。

根据本发明构思的示例实施例,一种用于制造半导体装置的方法包括:在接地垫上形成下电极;在下电极上沿着下电极的轮廓形成介电层;在介电层上形成上电极;以及在上电极上形成掺杂有氟的上板电极。

然而,本公开的各方面不限于在此所阐述的,通过参照下面给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其它方面将对于本公开所属领域的普通技术人员而言变得更加明显。

附图说明

通过参照附图详细描述本公开的示例实施例,本公开的以上和其它方面及特征将变得更加明显,在附图中:

图1是示出根据一些实施例的半导体装置的图;

图2是图1的部分P的放大图;

图3至图6是示出沿着图2的线A的氟(F)的浓度的不同示例的示意图;

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