[发明专利]磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法

说明书

一种磁性存储器件包括：磁性隧道结(MTJ)堆叠；自旋轨道力矩(SOT)感应配线，设置在MTJ堆叠之上；第一端子，耦合到SOT感应配线的第一端；第二端子，耦合到SOT感应配线的第二端；以及共享选择器层，耦合到第一端子。

技术领域

本发明实施例是涉及磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法。

背景技术

磁性随机存取存储器(magnetic random access memory，MRAM)提供 与易失性静态随机存取存储器(volatile static random access memory，SRAM) 相当的性能以及与易失性动态随机存取存储器(volatile dynamic random access memory，DRAM)相当的密度且具有更低的功耗。与非易失性存储 器(non-volatile memory，NVM)闪存相比，MRAM提供快得多的存取时 间且随时间的推移遭受最小的劣化，而闪存可仅被重写有限的次数。MRAM 的一种类型是自旋转移力矩磁性随机存取存储器(spin transfer torque magneticrandom access memory，STT-MRAM)。STT-MRAM利用磁性隧道 结(magnetic tunnelingjunction，MTJ)，所述磁性隧道结至少部分是由通过 MTJ驱动的电流进行写入。另一种类型的MRAM是自旋轨道力矩MRAM (spin orbit torque MRAM，SOT-MRAM)，它一般来说需要比STT-MRAM 低的开关电流。

发明内容

一个实施例是磁性存储器件，所述磁性存储器件包括第一磁性隧道结 (MTJ)堆叠。所述磁性存储器件还包括：第一自旋轨道力矩(SOT)感应 配线，设置在所述第一MTJ堆叠之上。所述器件还包括：第一导电线，耦 合到所述第一SOT感应配线的第一端。所述器件还包括：第二导电线，耦 合到所述第一SOT感应配线的第二端。所述器件还包括：选择器层，耦合 到所述第一导电线。所述器件还包括：第二SOT感应配线，设置在第二 MTJ堆叠之上，所述选择器层耦合到与所述第二SOT感应配线耦合的第三 导电线。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注 意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使 论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是根据一些实施例的SOT-MRAM单元的示意图。

图2是根据一些实施例的SOT-MRAM单元的示意图。

图3到图4是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的示意图。

图5是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的电路图。

图6到图7是根据一些实施例的SOT-MRAM单元的示意图。

图8是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的电路图。

图9到图10是根据一些实施例的SOT-MRAM单元的示意图。

图11是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的电路图。

图12到图13是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的示意图。

图14是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的电路图。

图15到图16是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的示意图。

图17是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的电路图。

图18到图19是根据一些实施例的SOT-MRAM器件的示意图。