[发明专利]一种用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法及设备

权利要求书

1.一种用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）首先在工作缸活塞上铺设层厚为0.01～0.05mm的金属粉末，然后在所述金属粉末上铺设层厚为0.3～2.0mm的高分子粉末，将上述两层粉末预热至设定温度，所述设定温度比高分子粉末的熔点低10～150℃；

（2）采用CO₂激光器对上述两层粉末进行烧结，使得高分子粉末被融化，然后再采用光纤激光器进行烧结，所述CO₂激光器的光源波长、额定功率分别为10600nm、30-100W，所述光纤激光器的光源波长、额定功率分别为405～2000nm、200-2000W；

（3）重复步骤1和2，直至工件烧结完成，制得工件。

2.根据权利要求1所述的用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，其特征在于，所述金属粉末为铁粉、铜粉、镍粉、铝粉、钴粉、钛粉和银粉中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，其特征在于，所述金属粉末的平均粒径为1～50μm。

4.根据权利要求3所述的用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，其特征在于，所述高分子粉末为聚酰胺粉末、聚乙烯粉末、聚氨酯粉末、聚丙烯粉末、聚苯乙烯粉末、聚对苯二甲酸丁二醇酯粉末、聚苯硫醚粉末或聚醚醚酮粉末。

5.根据权利要求4所述的用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，其特征在于，所述高分子粉末的平均粒径为40～80μm。