[发明专利]一种制备厘米级2H相CrS2 在审
| 申请号： | 202011169934.X | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112279301A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 聂安民;康梦克;向建勇;牟从普;柳忠元;田永君 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C01G41/00 | 分类号： | C01G41/00;C01G37/00 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张建 |
| 地址： | 066004 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 厘米 crs base sub | ||
1.一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于，包括以下步骤：以Cr、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，在氩气保护下，进行加热硫化反应，通过一步化学气相沉积法制备得到厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结；反应时S单质置于刚玉舟中放置在多温区管式炉的上游，WO3和NaCl的混合物置于刚玉舟中放置在多温区管式炉的下游，Cr粉均匀平铺于刚玉舟底部放置于多温区管式炉的下游、WO3和NaCl的混合物的另一侧，调节Cr粉刚玉舟的位置，使Cr粉的反应温度保持在930-970℃。
2.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的上游温度为150-210℃。
3.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述多温区管式炉的下游温度为940-980℃。
4.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述的氩气的流量为20-50sccm。
5.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：反应时多温区管式炉管内压强为50-200Pa。
6.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述硫化反应的升温时间为30-50min，反应时间为20-50min。
7.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述方法还包括硫化反应前对所用样品沉积基底Si/SiO2用丙酮进行超声清洗，后用乙醇清洗，最后用N2吹干。
8.根据权利要求1所述的一种制备厘米级2H相CrS2-WS2水平异质结的方法，其特征在于：所述方法还包括在硫化反应之前，使用氩气进行清洗多温区管式炉及刚玉舟。
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