[发明专利]一种大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法在审
申请号: | 202011171016.0 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112446164A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 杨新宇;郭刚;彭朝华 | 申请(专利权)人: | 中国原子能科学研究院 |
主分类号: | G06F30/25 | 分类号: | G06F30/25 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 任晓航;胡明军 |
地址: | 102413 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大面积 均匀 多极 磁铁 布局 方法 | ||
1.一种大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,在束流线上依次设置两组双单元四极磁铁和一个八极磁铁,所述两组双单元四极磁铁控制束流包络和张角,使得束流进入八极磁铁时,X方向和Y方向的包络和张角尽可能接近,且包络大小适中,张角尽可能大,然后通过所述八极磁铁同时对束流的X方向和Y方向进行均匀化。
2.如权利要求1所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,通过调节两组双单元四极磁铁的参数,由束流光学软件拟合计算出束流在X方向和Y方向的包络和张角尽可能接近的位置,作为八极磁铁的设置位置。
3.如权利要求2所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,所调节的两组双单元四极磁铁的参数包括有效长度、极面场、孔径。
4.如权利要求1所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,两组双单元四极磁铁的相距距离一般为200-400mm。
5.如权利要求1或4所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,一组中两个单四极磁铁之间的间距小于300mm,所述两个单四极磁铁的有效长度和孔径相同,极面场强可根据需要进行调整。
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