[发明专利]一种大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法在审

专利信息
申请号: 202011171016.0 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN112446164A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 杨新宇;郭刚;彭朝华 申请(专利权)人: 中国原子能科学研究院
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 任晓航;胡明军
地址: 102413 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 大面积 均匀 多极 磁铁 布局 方法
【权利要求书】:

1.一种大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,在束流线上依次设置两组双单元四极磁铁和一个八极磁铁,所述两组双单元四极磁铁控制束流包络和张角,使得束流进入八极磁铁时,X方向和Y方向的包络和张角尽可能接近,且包络大小适中,张角尽可能大,然后通过所述八极磁铁同时对束流的X方向和Y方向进行均匀化。

2.如权利要求1所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,通过调节两组双单元四极磁铁的参数,由束流光学软件拟合计算出束流在X方向和Y方向的包络和张角尽可能接近的位置,作为八极磁铁的设置位置。

3.如权利要求2所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,所调节的两组双单元四极磁铁的参数包括有效长度、极面场、孔径。

4.如权利要求1所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,两组双单元四极磁铁的相距距离一般为200-400mm。

5.如权利要求1或4所述的大面积均匀扩束的多极场磁铁布局方法,其特征在于,一组中两个单四极磁铁之间的间距小于300mm,所述两个单四极磁铁的有效长度和孔径相同,极面场强可根据需要进行调整。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国原子能科学研究院,未经中国原子能科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011171016.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top