[发明专利]切片电池标片的标定方法

说明书

本发明属于晶体硅太阳电池技术领域，涉及一种切片电池标片的标定方法，根据实验室内QE机台测试第三方实验室的一级标片，得到该一级标片由QE测试仪测试出的短路电流I_mea，根据第三方实验室所提供标片的短路电流数据I_ref，得到电流修正因子随后用QE测试仪标定切片电池的I₁,令I₂＝α*I₁，用I₂再次校准实验室的IV测试仪，测量待标定的切片电池，测试时调整探针排上电压探针的位置，将超出待测分片电池面积区域的电压与电流探针去除，同时调整与待测分片接触电压探针的相对位置，使电压探针相对待测分片的位置与调整前电压探针与整片标片相对位置保持一致。本发明可保持同一机构内的测试基准稳定准确，切片电池制备组件时的投产比与原有基准一致。

技术领域

本发明属于晶体硅太阳电池技术领域，涉及一种切片电池标片的标定方法。

背景技术

现有技术制备的晶体硅太阳电池在经过激光切半后其填充因子会显著降低,进而造成光电转换效率降低,以TOPCon电池为例，激光切半后半片电池的效率降低约0.2-0.3％abs。最近，部分企业使用更大尺寸的硅片做太阳电池，如210mm×210mm的硅片，制作组件时会将太阳电池用激光一切为三，必然使得两个边都是激光切割面的那片太阳电池片效率降低更多，从而引起电池片串焊失配。同样地，叠瓦组件要求将一片太阳电池切割为多份，电池片效率降低更为显著。且由于太阳电池因制程影响存在着电池内部的钝化不均匀，激光切片后的分片电性能与原有整片存在差异，需要通过切片后分选来降低制备组件过程中的电学失配，然而由于测试机所用探针排上的电压探针排布相对位置对于半片和整片电池不同，如果使用假片与切片标片拼接成整片电池利用原有测试机台测试，会使得整片标片和半片标片电池填充因子FF的测试基准不同，从而影响到测试准确度及组件投产比。如图1所示，选取10片电池，改变电压探针与电池的相对位置，测试填充因子，由于电压探针位置与电池的相对位置不同，填充因子差异可达0.8％。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题，提供一种切片电池标片的标定方法。

为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：

一种切片电池标片的标定方法，根据实验室内QE机台测试第三方实验室的一级标片，得到该一级标片由QE测试仪测试出的短路电流I_mea，根据第三方实验室所提供标片的短路电流数据I_ref，得到电流修正因子随后用QE测试仪标定切片电池的I₁,令I₂＝α*I₁，用I₂再次校准实验室的IV测试仪，测量待标定的切片电池，测试时调整探针排上电压探针的位置，将超出待测分片电池面积区域的电压与电流探针去除，同时调整与待测分片接触电压探针的相对位置，使电压探针相对待测分片的位置与调整前电压探针与整片标片相对位置保持一致。

进一步的，QE测试仪使用大光斑覆盖待测切片电池全面积进行测试或者使用小光斑在测试中对电池片全面积进行扫描。

进一步的，QE测试仪在长波段测试时可以增加额外光强。

进一步的，待测切片电池已进行充分的光致衰减或电致衰减。

一种切片电池标片的标定方法，包括以下步骤：

S1，通过QE测试仪测试第三方实验室标定的一级标片，结合测试后的绝对光谱响应与AM1.5g标准光谱进行积分，得到该一级标片由QE测试仪测试出的短路电流I_mea；

S2，根据第三方实验室所提供标片的短路电流数据I_ref，对于QE测试仪进行修正，修正因子计算公式为