[发明专利]一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法在审
| 申请号： | 202011171818.1 | 申请日： | 2020-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112331491A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 张轲;周岩;曹中秋;王艳 | 申请（专利权）人： | 沈阳师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/46;H01G11/30;C23C18/34;C25D11/34 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110034 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 氢氧化 电极 材料 制备 方法 | ||
1.一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：
1)铜片表面预处理；
2)在铜片表面化学镀NiB薄膜；
3)采用原位电化学阳极氧化的方法处理镀膜后的铜片，得到B掺杂的NiO/Ni(OH)2(B)电极材料。
2.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，所述铜片为0.1mm厚的铜片。
3.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，铜片表面预处理的方法为：依次采用下列处理：1000#水砂纸打磨铜片、10wt％盐酸溶液对铜片进行除锈及采用无水乙醇超声对铜片进行除油处理，最后吹干待用。
4.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，所述NiB薄膜为3微米厚。
5.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，化学镀时采用的镀液组成为：氯化镍30g/L，硼氢化钠0.8g/L，乙二胺15g/L，酒石酸钾钠40g/L，采用5wt％NaOH溶液调节镀液的pH＝13；化学镀时镀液温度为55℃，化学镀时间为60min。
6.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，电化学阳极氧化工艺为：采用二电极系统恒电压阳极氧化，以不锈钢或铂惰性电极做阴极，化学镀NiB铜片做阳极，阴阳极的距离为1-2cm，电解液的组成为1mol/L的氢氧化钾、1g/L的助氧化剂水溶液，反应温度30℃，阳极氧化槽压1.0-1.5V，反应时间60min。
7.根据权利要求1所述的一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法，其特征在于，所述助氧化剂采用NaNO2水溶液。
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