[发明专利]一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法

权利要求书

1.一种去除硅片抛光面表面大颗粒的方法，其特征在于，通过物理吹扫去除硅片抛光面表面大颗粒，所述大颗粒为0.50um及以上的大颗粒；

调节吹扫角度，吹扫角度控制在40°，所述吹扫角度指的是吹扫气枪的出气口的轴向与硅片之间的夹角；

调节吹扫压力，吹扫压力控制在0.15Mpa，

调节吹扫距离，吹扫距离控制在7cm；

还包括一用于安装吹扫气枪的安装架，以及用于带动吹扫气缸运动的二维平移机构；

还包括一硅片安装平台，所述硅片安装平台与所述二维平移机构的基座固定在同一支架上；

所述气枪上安装有一红外激光器，所述红外激光器的发光方向与所述气枪的出气方向平行；

所述二维平移机构包括带动吹扫气枪左右运动的左右平移机构以及用于带动吹扫气缸前后运动的前后平移机构；

所述前后平移机构的平移平台上安装有所述安装架，所述左右平移机构的平移平台上安装有所述前后平移机构的基座；

所述左右平移机构以及前后平移机构是直线模组；

所述硅片安装平台包括内设有空腔的中空置物板，所述空腔是一开口向上的槽体以及一顶板围成，所述槽体内固定有纵横交错排布的隔板，所述隔板将槽体分隔成矩阵式排布的复数个导光腔，所述导光腔内固定有LED发光元件，相邻导光腔内固定的LED发光元件的发光频率不同，所述导光腔的内壁涂覆有一反光涂层；

所述顶板上开设有一矩阵式排布的透光孔；

所述硅片安装平台的上方设有一硅片方位检测机构，所述硅片方位检测机构包括矩阵式排布的光敏传感器，所述光敏传感器的感应方向与所述透光孔一一对应；

所述光敏传感器的信号输出端连接主机，所述主机控制所述LED发光元件，且所述主机还控制连接所述二维平移机构；

所述硅片方位检测机构还包括一硅片方位估计系统，所述硅片方位估计系统包括存储模块，所述存储模块存储有光敏传感器采集到的光点信息以及遮挡点信息；

所述光点信息为触发光敏传感器感应到光的LED发光元件的光点坐标信息,

所述遮挡点信息为未触发光敏传感器感应到光的LED发光元件的遮挡点坐标信息；

通过遮挡点坐标信息以及光点坐标信息获得一硅片估计区域，以所述硅片估计区域作为吹气区域，所述吹气区域为遮挡点坐标信息中邻近光点坐标信息的遮挡点的连线；

所述出气区域设有至少一个直线段；

所述二维平移机构通过一旋转机构安装在所述支架上；

所述主机控制所述旋转机构带动二维平移机构运动，进而将所述前后平移机构的平移方向与所述直线段的长度方向平行；

以所述直线段为硅片的长度方向，吹气区域中平行于所述硅片长度方向上最大的长度为第一运动行程参数；

以垂直于所述直线段的方向为所述硅片的宽度方向，吹气区域中平行于所述硅片的宽度方向上最大的长度为第二运动行程参数；

以第一运动行程参数以及第二运动行程参数计算出长度为第一运动行程参数以及宽度为第二运动行程参数的矩形结构，且吹气区域位于矩形结构内；

所述主机控制所述二维平移机构的运动轨迹为前后平移机构行进第一运动行程参数后，左右平移机构行进1cm，前后平移机构反向行进第一运动行程参数，左右平移机构行进1cm；

左右平移机构的总行进距离为第二运动行程参数；

左右平移机构从远离硅片处向硅片处运动；

所述前后平移机构的处于初始位置时，所述气枪的吹气方向正对矩形结构的角部；

通过所述红外激光器进行气枪位置的预校准；

通过手动调节二维平移机构，将所述红外激光器正对至少三个LED发光元件，所述主机将所述红外激光器正对的LED发光元件的位置信息与二维平移机构当前的位置信息进行绑定，以便主机根据吹气区域的参数信息分析获知二维平移机构的运动轨迹信息；

所述吹扫气枪的材质为PFA。