[发明专利]一种陶瓷焊柱阵列的热疲劳寿命优化方法有效
申请号: | 202011173256.4 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112287582B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 董刚;李依依;郝飞飞;朱樟明;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F111/10;G06F111/04;G06F119/02;G06F119/08;G06F119/14 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 阵列 疲劳 寿命 优化 方法 | ||
1.一种陶瓷焊柱阵列的热疲劳寿命优化方法,其特征在于,包括如下:
(1)根据基于陶瓷焊柱阵列CCGA的系统级封装SIP结构,在PROE软件中建立该结构的参数化几何模型,并将该几何模型导入ANSYS软件中添加材料参数,通过Anand本构模型描述CCGA所使用材料的力学行为,加载约束以及多周期的温度循环载荷,且每个周期高低温驻留阶段的时间相等,升降温阶段的时间相等,形成初始有限元模型;
(2)计算初始有限元模型中CCGA的等塑性应变范围值A,通过基于应变的修正后Coffin-Manson寿命预测模型计算初始有限元模型中CCGA的热疲劳寿命L;
(3)选取对CCGA热疲劳寿命有影响的因素,包括材料属性、几何结构;
(4)通过仿真软件对所选因素进行参数化,得到各因素对于CCGA热疲劳寿命的灵敏度,并选取灵敏度排列靠前的N个因素作为关键因素,N为大于2的整数;
(5)在实际工程所允许的范围内选取各关键因素的参数,且每个关键因素选取的参数个数相同;
(6)根据各关键因素和其对应参数建立正交试验表;
(7)根据正交试验表建立相应的有限元模型,并进行仿真,得到正交试验表中每组试验的CCGA的等塑性应变范围值Ak并填入正交试验表中,再通过基于应变的修正后Coffin-Manson寿命预测模型计算正交试验表中每组试验的CCGA的热疲劳寿命Lk填入正交试验表中;
(8)计算正交试验表中每组试验的信噪比SNR,根据信噪比SNR计算不同关键因素在不同参数下的信噪比平均值Mij,选取各关键因素信噪比平均值最大的参数,得到最优因素组合;
(9)将最优因素组合代入仿真模型,计算最优因素组合仿真模型中CCGA的等效塑性应范围值A',并通过基于应变的修正后Coffin-Manson寿命预测模型计算最优因素组合仿真模型中CCGA的热疲劳寿命L';
(10)将初始有限元模型中CCGA的热疲劳寿命L与最优因素组合仿真模型中CCGA的热疲劳寿命L'进行对比:
若L'大于L,则结束优化;
否则,选取不同的因素重复(3)到(9),或者选取最优因素组合附近的参数重复(5)到(9),直到L'大于L;
(11)按照最优因素组合的参数,设计基于陶瓷焊柱阵列CCGA的系统级封装SIP结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,(1)中的Anand本构模型包括如下一个流动方程和三个演化方程:
其中,1为流动方程,2、3、4为三个演化方程,式中为非弹性应变率,σ为变形阻力,A为置前系数,s为变形阻力,Q为激活能,R为气体常数,ξ为应力因子,T为热力学温度,m为应力的应变率敏感度,h0为硬化/软化常数,a为硬化/软化的应变率敏感度,s*为给定温度和应变率条件下变形阻力s的饱和值,为变形阻力饱和值s*的系数,n为应变率敏感度,为非弹性应变率,Q为激活能,A为置前系数。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,(2)、(7)和(9)中的CCGA的等塑性应变范围值,是指在温度循环周期中,其等效塑性应变范围达到稳定时的值。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,(2)中通过基于应变的修正后Coffin-Manson寿命预测模型,计算初始有限元模型中CCGA的热疲劳寿命L,公式如下:
式中c为疲劳延展指数c=-0.442-1.6×10-4Tm+1.74×10-2ln(1+f),Tm为平均温度,f为热循环频率,ε'f为疲劳延展系数,为初始有限元模型的塑性切应变范围值,A为初始有限元模型的等效塑性应变范围值。
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