[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器控制方法

说明书

本发明涉及数据储存装置的高效修整对应的复电技术。该控制器根据一程序化顺序扫描该非挥发式存储器，收集一串修整资讯旗标，据以解读自该非挥发式存储器扫描出的一串储存资讯为逻辑地址、或是修整代号。解读出的逻辑地址用于重建一主机‑装置映射表。解读出的修整代号用于判断该非挥发式存储器相应储存空间是储存中等长度、或大量修整的资讯。根据中等长度修整的资讯，虚置映射数据填入该主机‑装置映射表。根据大量修整的资讯，一修整位元总表重建，该修整位元总表各位元对应一第一长度的修整。

技术领域

本发明有关于数据储存装置的修整(trimming)技术。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式─例如，快闪存储器(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存，可做为储存媒体实现一数据储存装置。

非挥发式存储器通常有其特殊的储存特性。本技术领域需要相应非挥发式存储器的储存特性发展相应的控制技术。例如，符合非挥发式存储器储存特性的修整(trimming)技术。

发明内容

本发明相应一种高效修整技术，提出一种复电技术。

根据本发明一种实施方式实现的一数据储存装置包括一非挥发式存储器、以及耦接该非挥发式存储器的一控制器以及一暂存存储器。该控制器是建构来在该暂存存储器上重建该非挥发式存储器的修整状况。该控制器根据一程序化顺序扫描该非挥发式存储器，收集一串修整资讯旗标，据以解读自该非挥发式存储器扫描出的一串储存资讯为逻辑地址、或是修整代号。该控制器根据解读出的逻辑地址重建一主机-装置映射表。该控制器根据解读出的修整代号，判断该非挥发式存储器相应储存空间是储存中等长度修整的资讯、或大量修整的资讯。根据中等长度修整的资讯，该控制器将虚置映射数据填入该主机-装置映射表。根据大量修整的资讯，该控制器重建一修整位元总表，该修整位元总表各位元对应一第一长度的修整。

一种实施方式中，一笔中等长度修整不超过该第一长度，且对齐一第二长度的分界。一笔中等长度修整的资讯包括该笔中等长度修整的起始逻辑地址以及长度。上述修整代号为一中等长度修整代号时，该控制器判断该非挥发式存储器相应储存空间是储存一笔中等长度修整的起始逻辑地址以及长度。

一种实施方式中，一笔大量修整对齐该第一长度的分界、且为该第一长度的N倍，对应该修整位元总表的N个位元，N为正整数。该修整位元总表包括多个修整位元子表。上述N个位元对应到该等修整位元子表其中M个修整位元子表，M为正整数。该笔大量修整的资讯包括上述M个修整位元子表。上述修整代号为上述M个修整位元子表的M个子表编号时，该控制器判断该非挥发式存储器相应储存空间是储存上述M个修整位元子表。

一种实施方式中，该主机-装置映射表包括多个映射子表。各映射子表以该第二长度为单位，管理该第一长度的逻辑地址区间的映射数据。

以上控制该非挥发式存储器的控制器也可以由其他架构实现。本发明还可以前述概念实现非挥发式存储器的控制方法。

下文特举实施例，并配合附图，详细说明本发明内容。

附图说明

图1图解快闪存储器中区块Blk的结构；

图2图解根据本发明一种实施方式所实现的一数据储存装置200；

图3图解修整的分类；

图4图解首位少量修整(302)，其中修整逻辑区块地址LBA 5～LBA 7；

图5图解首位中等长度修整(304)，其中修整逻辑区块地址LBA 8～LBA 4095；