[发明专利]一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法

说明书

本发明一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，所述方法包括步骤1，在硅转接板的倒装焊区域涂抹助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取助焊剂，将芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后贴片；步骤2，将初步形成的组件真空回流焊接，之后清洗进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，重复得若干个多芯片/硅转接板组件；步骤3，在管壳的倒装焊区域涂抹助焊剂，选取靠近中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，分别将组件与管壳对位后贴片；步骤4，将形成的模块真空回流焊接，清洗再进行硅转接板的底部填充，能够显著提高组装效率，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。

技术领域

本发明涉及先进电子封装技术领域，具体为一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法。

背景技术

硅转接板具有二次布线及导电通孔的多层结构特征，其布线与孔密度远高于电子产品中常见的陶瓷基板及印制电路板，并且利用导电通孔可形成上下表面的电连接，因此硅转接板可实现大规模I/O芯片的高速信号传输及一个甚至多个倒装焊芯片的叠层组装。与直接焊至管壳上的单层倒装焊结构相比，硅转接板能够将微尺寸、细间距的芯片凸点转接为较大尺寸及间距的焊球，避免了管壳制造工艺极限对倒装焊芯片凸点尺寸及数量的限制。通过硅转接板的高密度布线，也可大大减小实现多个芯片互连功能所需的基板或管壳面积。通过硅转接板的导电通孔，可实现多个倒装焊芯片在管壳中的高密度集成，因此将硅转接板应用于裸芯片倒装焊是实现电子器件小型化、多功能化的关键之一。

然而目前倒装焊设备一般为针对单个倒装焊芯片同时实现对位、贴片及焊接，而当需要在同一个硅转接板上倒装焊多个芯片以便形成多芯片/硅转接板组件时，若依次对各芯片进行对位、贴片及焊接，在焊接次序靠后的芯片时，已焊接至硅转接板的芯片上的焊球会产生重熔问题，对焊点性能造成不良影响。在同一管壳上焊接多个多芯片/硅转接板组件时，利用倒装焊设备依次对各个组件进行对位、贴片及焊接，也存在同样的问题。因此仅靠倒装焊设备进行多芯片、多组件倒装焊时，焊球重熔问题是无法避免的。另外在进行若干个多芯片/硅转接板组件的焊接时，由于硅转接板尺寸较大，且进行拾取时需在芯片表面进行，从而无法保证拾取点在硅转接板的中心位置，因此与单个单芯贴装相比，进行若干个多芯片/硅转接板组件贴片时更容易在水平方向发生倾斜，导致贴装时压力不均而压裂硅转接板或焊后倾斜、虚焊、开路问题。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，能够显著提高组装效率，减小器件尺寸，提高倒装焊质量，兼容不同厚度、尺寸的倒装焊芯片组装，具有重要的社会效益和经济价值。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装方法，包括如下步骤：

步骤1，在硅转接板的倒装焊区域均匀涂抹膏状助焊剂，或用若干个倒装焊芯片蘸取液体助焊剂，之后将若干个倒装焊芯片焊球分别与硅转接板焊盘对位后进行贴片，得到一个初步形成的多芯片/硅转接板组件；

步骤2，将上述初步形成的多芯片/硅转接板组件进行真空回流焊接，温度高于焊球材料的熔点30～50℃，之后清洗再进行倒装焊芯片的底部填充及硅转接板背面的植球，得到一个多芯片/硅转接板组件；

步骤3，重复步骤1～步骤2得到若干个多芯片/硅转接板组件；

步骤4，在管壳的倒装焊区域均匀涂抹助焊剂，选取靠近若干个多芯片/硅转接板组件的中心位置和高度最高的倒装焊芯片表面作为拾取点，之后分别将若干个多芯片/硅转接板组件与管壳对位后进行贴片；

步骤5，将贴片后形成的模块进行真空回流焊接，温度高于焊球材料的熔点30～50℃，之后清洗再进行硅转接板的底部填充，完成若干个多芯片/硅转接板组件的倒装焊叠层组装。