[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的伪栅极层和介电层；

在经过平坦化且未经研磨的所述堆叠结构的栅线隙区中间隔形成多个凹槽，每一凹槽贯穿多层伪栅极层和介电层；

在所述堆叠结构表面及所述多个凹槽中覆盖绝缘层，其中所述多个凹槽上方的绝缘层表面具有凹陷；以及

对所述绝缘层进行研磨以磨平所述凹陷，其中经研磨的绝缘层覆盖所述堆叠结构表面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述绝缘层进行研磨以磨平所述凹陷后还包括：

在所述栅线隙区形成栅线隙，所述栅线隙被所述多个凹槽隔断；

在所述栅线隙中填充导电材料以形成阵列共源极。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述栅线隙中填充导电材料以形成阵列共源极后还包括：

形成跨越每个凹槽中的绝缘层的连接桥，所述连接桥连通被所述绝缘层隔开的阵列共源极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠结构表面的绝缘层的厚度为150-250nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述绝缘层进行研磨以磨平所述凹陷的步骤，包括通过控制所述研磨的时间来控制研磨厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述凹槽位于所述堆叠结构的核心区。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述堆叠结构中形成顶部选择栅切线，且在所述顶部选择栅切线中填充绝缘层，其中所述顶部选择栅切线和所述凹槽在同一刻蚀工艺中形成，且所述顶部选择栅切线中的绝缘层和所述凹槽中的绝缘层在同一填充工艺中形成。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述堆叠结构的核心区中形成沟道结构阵列，所述沟道结构阵列被所述栅线隙区分隔为多个区域。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括形成位于所述沟道结构阵列的各个沟道结构顶部的导电插塞。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠结构包括一个堆栈或多个堆叠的堆栈。

11.一种三维存储器，包括：

衬底；

位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的栅极层和介电层；

贯穿堆叠结构到达所述衬底的栅线隙，所述栅线隙被多个间隔的隔断结构隔断；以及

多个绝缘层，对应地设于所述隔断结构上部且覆盖所述堆叠结构表面，每一绝缘层贯穿多层栅极层和介电层，其中每一绝缘层的上表面是平坦的。

12.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述栅线隙中的阵列共源极。

13.如权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，还包括跨越每个绝缘层的连接桥，所述连接桥连通被所述绝缘层隔开的阵列共源极。

14.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，所述多个绝缘层位于所述堆叠结构的核心区。

15.如权利要求11所述的三维存储器，其特征在于，还包括：

顶部选择栅切线，贯穿所述堆叠结构中的多层栅极层和介电层；

填充于所述顶部选择栅切线中的绝缘层，其中所述顶部选择栅切线中的绝缘层和所述隔断结构上部的绝缘层在同一填充工艺中形成。