[发明专利]封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011176573.1 申请日: 2020-10-28
公开(公告)号: CN114420656A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 王佰伟;陈庆盛;谭瑞敏;吴明豪;陈宣玮 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/367;H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 朱颖;刘芳
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其特征在于,包括:

线路板,包括多层线路层以及复合材料层,其中所述复合材料层的导热率介于450W/mK至700W/mK之间;以及

发热元件,配置于所述线路板上,且电性连接至所述多层线路层,其中所述发热元件所产生的热通过所述复合材料层而传递至外界。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述复合材料层包括第一材料以及第二材料,且所述第一材料的导热率大于所述第二材料的导热率。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述第一材料为石墨烯,而所述第二材料为铜。

4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述多层线路层包括内层线路层、至少一第一增层线路层以及至少一第二增层线路层,所述线路板包括:

核心基材,包括核心层、所述复合材料层以及所述内层线路层,所述复合材料层以及所述内层线路层分别位于所述核心层的相对两侧;

第一增层结构,配置于所述核心基材的一侧,且包括至少一第一介电层、所述至少一第一增层线路层以及开口,其中所述第一介电层位于所述至少一第一增层线路层与所述复合材料层之间,而所述开口从所述至少一第一增层线路层延伸至所述复合材料层,且暴露出部分所述复合材料层,而所述发热元件配置于所述开口内;以及

第二增层结构,配置于所述核心基材的另一侧,且包括至少一第二介电层及所述至少一第二增层线路层,其中所述第二介电层位于所述至少一第二增层线路层与所述内层线路层之间。

5.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,还包括:

绝缘胶层,配置于所述开口与所述发热元件之间,其中所述发热元件具有彼此相对的主动面与背面以及连接所述主动面与所述背面的周围表面,且包括位于所述主动面的第一电极及第二电极,所述绝缘胶层覆盖所述发热元件的所述背面与所述周围表面,且所述发热元件通过所述绝缘胶层接触所述复合材料层;以及

电性连接层,连接所述至少一第一增层线路层与所述发热元件的所述第一电极以及连接所述至少一第一增层线路层与所述发热元件的所述第二电极,其中所述电性连接层暴露出所述发热元件的部分所述主动面及所述第一增层结构的部分所述第一介电层。

6.根据权利要求5所述的封装结构,其特征在于,还包括:

导电通孔,贯穿所述第一增层结构的所述至少一第一介电层、所述核心基材的所述核心层以及所述第二增层结构的所述至少一第二介电层,且电性连接所述至少一第一增层线路层及所述至少一第二增层线路层。

7.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,所述发热元件具有彼此相对的主动面与背面且包括位于所述主动面的第一电极与第二电极,所述复合材料层包括彼此分离的第一复合材料部与第二复合材料部,且所述第一电极与所述第一复合材料部结构性且电性连接,而所述第二电极与所述第二复合材料部结构性且电性连接。

8.根据权利要求4所述的封装结构,其特征在于,还包括:

第三增层结构,配置于所述第一增层结构上,且电性连接至所述至少一第一增层线路层;以及

第四增层结构,配置于所述第二增层结构上,且电性连接至所述至少一第二增层线路层。

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