[发明专利]柔性InGaZnO薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202011176681.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112436058A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 宋家琪;郑克丽 | 申请（专利权）人： | 深圳技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性 ingazno 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.柔性InGaZnO薄膜晶体管，其特征在于，包括：
柔性衬底，所述柔性衬底为柔性PI衬底；
缓冲层，所述缓冲层位于所述柔性衬底上侧；
ITO栅极，所述ITO栅极位于所述缓冲层上侧；
高K介质层，所述高K介质层位于所述ITO栅极上侧；
InGaZnO有源层，所述InGaZnO有源层位于所述高K介质层上侧；
ITO源极，所述ITO源极位于所述有源层上侧；
ITO漏极，所述ITO漏极位于所述有源层上侧。
2.根据权利要求1所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层为氧化铝缓冲层。
3.柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：
提供柔性PI衬底；
在所述柔性PI衬底上依次形成缓冲层、ITO栅极、高K介质层、InGaZnO有源层；
在所述InGaZnO有源层上形成ITO源极和ITO漏极。
4.根据权利要求3所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述缓冲层为使用原子层沉积工艺制备的氧化铝薄膜，所述氧化铝薄膜的厚度为100nm。
5.根据权利要求4所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述ITO栅极为使用磁控溅射工艺制备的ITO薄膜，所述ITO薄膜的厚度为100nm。
6.根据权利要求5所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述高K介质层为使用磁控溅射工艺制备高K介质薄膜，所述高K介质薄膜的厚度为40nm至60nm，所述高K介质薄膜在氮气氛围中进行退火。
7.根据权利要求6所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述InGaZnO有源层为使用磁控溅射工艺制备的InGaZnO薄膜，所述InGaZnO薄膜的厚度为50nm，所述InGaZnO薄膜的生长速率为1nm/min。
8.根据权利要求7所述的柔性InGaZnO薄膜晶体管制备方法，其特征在于，通过光刻和显影工艺，在所述InGaZnO有源层上形成所述ITO源极和所述ITO漏极的光刻胶图形，通过磁控溅射工艺在所述光刻胶图形上制备厚度为100nm的ITO薄膜，通过光刻胶的剥离工艺形成所述ITO源极和所述ITO漏极。
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