[发明专利]一种高强度LTCC基板材料及其制备方法

权利要求书

1.一种LTCC基板材料，其特征在于，由低热膨胀系数LTCC基板材料以及分布在其两侧的高热膨胀系数LTCC基板材料共烧结得到；所述高热膨胀系数LTCC基板材料和低热膨胀系数LTCC基板材料的材料体系为：CaO-SiO₂-B₂O₃-Al₂O₃-ZnO玻璃基料+Al₂O₃陶瓷填料；所述高热膨胀系数LTCC基板材料的热膨胀系数和低热膨胀系数LTCC基板材料的热膨胀系数的差值≥1.5 ppm/K。

2.根据权利要求1所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述低热膨胀系数LTCC基板材料的组分为(1-x)[aCaO-bSiO₂-cB₂O₃-dAl₂O₃-eZnO]玻璃基料+xAl₂O₃陶瓷填料，其中x=0.4～0.6、a=25～30、b=30～60、c=8～15，d=5～10，e=3～6，且a+b+c+d+e=100；所述低热膨胀系数LTCC基板材料的热膨胀系数为4～6 ppm/K。

3.根据权利要求1所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述高热膨胀系数LTCC基板材料的组分为(1-x)[aCaO-bSiO₂-cB₂O₃-dAl₂O₃-eZnO]玻璃基料+xAl₂O₃陶瓷填料，其中x为0.4～0.6，a=30～60，b=20～60，c=5～10，d=5～10，e=2～5，且a+b+c+d+e=100；所述高热膨胀系数LTCC基板材料的热膨胀系数为5.5～8.5 ppm/K。

4.根据权利要求1所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述低热膨胀系数LTCC基板材料的厚度为200～800μm。

5.根据权利要求1所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述高热膨胀系数LTCC基板材料的厚度为30～800μm。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述高热膨胀系数LTCC基板材料占LTCC基板材料总厚度的比为0.1～0.5。

7.根据权利要求6所述的LTCC基板材料，其特征在于，所述高热膨胀系数LTCC基板材料占LTCC基板材料总厚度的比为0.15～0.25。

8.一种权利要求1-7中任一项所述的LTCC基板材料的制备方法，其特征在于，包括：

（1）将低热膨胀系数LTCC基板材料和有机载体混合，经流延成型，得到流延生瓷带A；

（2）将高热膨胀系数LTCC基板材料和有机载体混合，经流延成型，得到流延生瓷带B；

（3）将所得流延生瓷带A和流延生瓷带B按照B/A/B结构叠层，再经等静压、排胶和共烧结，得到所述LTCC基板材料。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述叠层的温度60～80℃；所述等静压的压力为40～60 MPa。

10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述排胶温度为400～500℃；所述共烧结的温度为850～900℃。