[发明专利]暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的制备在审
申请号: | 202011177441.0 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112169785A | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 刘建军;刘文琦;左胜利 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | B01J23/10 | 分类号: | B01J23/10;B01J35/02;B01J35/08;C01F17/235;C02F1/30;C02F101/38 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 暴露 高能 晶面二 氧化 光催化剂 制备 | ||
1.水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,是先将铈盐和强碱性溶液分别制备成溶液;然后将溶液混合搅拌;在混合液中加入表面活性剂;然后将混合液置于水热合成反应釜中,于不同温度下进行水热反应,抽滤,洗涤,干燥,得到不同形貌的二氧化铈。
2.如权利要求1所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:水热反应的温度为140~200℃、强碱的浓度为3~10mol/L、反应时间为12~24h,得到的产物为立方型CeO2,其暴露的择优晶面为{100}。
3.如权利要求1所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:水热反应的温度为100~120℃、强碱的浓度为0.1~0.5mol/L、反应时间为12~24h,得到的产物为纳米球型CeO2,其暴露的择优晶面为{111}。
4.如权利要求1所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:水热反应的温度为100~120℃、强碱的浓度为3~10mol/L、反应时间为12~24h,得到的产物为纳米棒型CeO2,其暴露的择优晶面为{110}和{100}。
5.如权利要求1所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:铈盐一般用硝酸铈或者氯化铈等铈盐,强碱溶液一般用氢氧化钠或者氢氧化钾等强碱溶液。
6.如权利要求2、3或4所述任意一种水热法制备具有高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:表面活性剂加入的重量比为0.1~1%。
7.如权利要求2、3或4所述任意一种水热法制备具有高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:表面活性剂可以选取聚乙烯吡咯烷酮、十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基硫酸钠和十二烷基苯磺酸钠等常见的表面活性剂。
8.如权利要求2、3或4所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:将三价铈盐和强碱溶液分别在室温下搅拌0.5h,然后再混合搅拌0.5h。
9.如权利要求2、3或4所述水热法制备暴露高能晶面二氧化铈光催化剂的方法,其特征在于:所述干燥是在80℃的烘箱中烘干6h。
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