[发明专利]半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用

权利要求书

1.一种半导体金属氧化物薄膜的后处理方法，其特征在于，包括：

(1)制备离子水溶液；

(2)将半导体金属氧化物薄膜浸入50-90℃的所述离子水溶液中，清洗，干燥。

2.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述离子选自碱金属离子、二价金属离子、卤素元素离子、SCN^-、CN^-和有机物官能团中的至少之一；

任选地，所述碱金属离子包括Li⁺、Na⁺、K⁺、Ru⁺和Cs⁺；

任选地，所述二价金属离子包括Mg²⁺、Ca²⁺、Sr²⁺和Cu²⁺；

任选地，所述卤素元素离子包括F^-、Cl^-、Br^-和I^-；

任选地，所述有机物官能团包括-OH和-COOH。

3.根据权利要求1所述的后处理方法，其特征在于，所述离子水溶液的浓度为1-10mg/mL。

4.根据权利要求1-3任一项所述的后处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，将半导体金属氧化物薄膜浸入50-90℃的所述离子水溶液中0.5-2h。

5.根据权利要求1-3任一项所述的后处理方法，其特征在于，在步骤(2)中，将半导体金属氧化物薄膜浸入50-90℃的所述离子水溶液后，密封；

任选地，在步骤(2)中，所述干燥过程如下：放入50-200℃真空干燥箱内真空烘干0.5h。

6.根据权利要求1-3任一项所述的后处理方法，其特征在于，所述半导体金属氧化物薄膜的制备方法为真空法镀膜或者液相法镀膜；

任选地，所述真空法镀膜包括原子层沉积法、热蒸发沉积法、电子束蒸发沉积法、磁控溅射沉积法或者化学气相沉积法；

任选地，所述液相法镀膜包括浸渍提拉法、溶胶凝胶法、化学浴法或者电化学沉积法；

任选地，所述半导体金属氧化物薄膜中的金属氧化物包括TiO₂、SnO₂、ZnO、NiO_x、CoO_x、MoO_x或者Nb₂O₅。

7.一种半导体金属氧化物薄膜，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述方法后处理得到。

8.一种制备太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

(a)在玻璃衬底上制备第一电子传输层或者第一空穴传输层；

(b)采用权利要求1-6任一项所述方法对所述第一电子传输层或者所述第一空穴传输层进行水溶液处理；

(c)在处理过的所述第一电子传输层或者所述第一空穴传输层上制备钙钛矿吸收层；

(d)在所述钙钛矿吸收层上制备第二空穴传输层或者第二电子传输层；

(e)在所述第二空穴传输层或者所述第二电子传输层上蒸镀金属电极或者透明金属氧化物电极。

9.一种太阳能电池，其特征在于，具有权利要求7所述的半导体金属氧化物薄膜或者由权利要求8所述方法制备得到。

10.一种储能设备，其特征在于，具有权利要求9所述的太阳能电池。